С.Б. Одиноков, Г.Р. Сагателян, А.Б. Соломашенко, Е.А. Дроздова
4
поверхности узкие (шириной менее 1 мкм) щели относительно боль-
шой (1…2 мкм) глубины. Недостатком данного метода является воз-
можность формирования только бинарного микрорельефа, т. е. при-
менительно к дифракционным решеткам прямоугольного микропро-
филя рабочей поверхности, не характерного для эшелетта.
Однако при наклонном падении света на дифракционную решет-
ку [6] бинарный прямоугольный микрорельеф фазовой решетки ведет
себя как профиль, близкий к пилообразному, что позволяет изгото-
вить эшелетт методом ПХТ (рис. 4).
Рис. 4.
ДОЭ, работающий как пропускающий эшелетт (
а
), заготовка
ДОЭ (
б
) и эквивалентный эшелетт (
в
):
1
,
2
— падающий и дифрагированный лучи
Для концентрации энергии излучения в заданном направлении
необходимо выполнение следующих двух условий [7]:
• направление нулевого порядка от отдельного преломляющего
Рис. 3.
Схема формирования точечного эталонного изображения:
1
— падающие параллельные пучки;
2
— дифрагированные пучки;
3
— дифракци-
онные решетки;
4
— ДОЭ
