Технология изготовления дифракционных оптических элементов методом плазмохимического травления для формирования точечных эталонных изображений - page 16

С.Б. Одиноков, Г.Р. Сагателян, А.Б. Соломашенко, Е.А. Дроздова
16
го травления, проводимого для удаления остатков маски, глубина ка-
навок уменьшится, а если
t
>
t
кр
, увеличится.
Для достижения максимальной глубины канавок фазовой ди-
фракционной решетки необходимо соблюдать условие
t
=
t
опт
, где
t
опт
— оптимальная продолжительность процесса ПХТ. При большей
или меньшей продолжительности ПХТ относительно
t
опт
глубина ка-
навок фазовой дифракционной решетки будет меньше максимально
достижимой.
Полностью использовать возможности, предоставляемые за счет
толщины и материала маски, можно, обеспечивая путем подбора оп-
тимального режима процесса ПХТ максимальную селективность
травления оптического стекла относительно материала маски. Так,
при травлении щелочного стекла через хромовую маску на установке
Caroline 15 PE максимум селективности травления наблюдается на
следующем режиме: мощность, подаваемая на антенну,
P
а
= 250 Вт и
подаваемая на столик,
P
ст
= 250 Вт; ток подмагничивания в катушках,
охватывающих камеру с плазмой,
I
= 2,0 А; частота вращения
n
рото-
ра турбомолекулярного насоса равна номинальной; расход травящего
газа (фреон CF
4
)
C
CF
4
= 2,4 л/ч, плазмообразующего газа (аргон)
C
Ar
=
= 0,8 л/ч, газа, охлаждающего столик (гелий),
C
He
= 1,2 л/ч.
Работа выполнена при проведении НИР по соглашению
№ 14.В37.21.0739 от 24 августа 2012 г. между Министерством об-
разования и науки Российской Федерации и МГТУ им. Н.Э. Баумана о
представлении гранта в рамках реализации Федеральной целевой
программы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной
России» на 2009—2013 годы.
ЛИТЕРАТУРА
[1] Колосов М.П., Гебгарт А.Я., Карелин А.Ю. О роли положения зрачков в
нерасстраиваемых оптических системах угломеров с каналом геометриче-
ского эталона.
Оптический журнал
, 2012, т. 79, № 2, с. 48–53.
[2] Казанский Н.Л., Колпаков В.А., Колпаков А.И. Исследование особенно-
стей процесса анизотропного травления диоксида кремния в плазме газо-
вого разряда высоковольтного типа.
Микроэлектроника
, 2004, т. 33, № 3,
с. 209–224.
[3] Казанский Н.Л., Колпаков В.А.
Формирование
оптического ми
кр
орельефа
во внекатодной плазме высоковольтного газового разряда
. Москва, Радио
и связь, 2009, с. 117–169.
[4] Одиноков С.Б., Сагателян Г.Р. Технология изготовления дифракционных и
голограммных оптических элементов с функциональным микрорельефом
поверхности методом плазмохимического травления.
Вестник МГТУ
им. Н.Э. Баумана. Сер. Приборостроение
, 2010, № 2, с. 92–104.
[5] Малышев В.И.
О методах использования дифракционных решеток-эше-
летт в космической ИК-спектрометрии (обзор литературы и рекоменда-
ции)
. Москва, Изд-во ФИАН, 1993, 52 с.
1...,6,7,8,9,10,11,12,13,14,15 17
Powered by FlippingBook