7 / 10
Распределение неосновных носителей заряда…
7
ЛИТЕРАТУРА
[1]
Михеев Н.Н., Никоноров И.М., Петров В.И., Степович М.А. Определение
электрофизических параметров полупроводников в растровом электронном
микроскопе методами наведенного тока и катодолюминесценции.
Известия
АН СССР. Серия физическая
, 1990, т. 54, № 2, с. 274‒280.
[2]
Белов А.А., Петров В.И., Степович М.А. Использование модели независимых
источников для расчета распределения неосновных носителей заряда,
генерированных в полупроводниковом материале электронным пучком.
Известия АН. Серия физическая
, 2002, т. 66, № 9, с. 1317‒1322.
[3]
Степович М.А. Оценка точности расчета распределений неосновных
носителей заряда, генерированных в полупроводниковом материале
электронным пучком.
Известия РАН. Серия физическая
, 2003, т. 67, № 4,
с. 588‒592.
[4]
Степович М.А., Снопова М.Г., Хохлов А.Г. Использование модели незави-
симых источников для расчета распределения неосновных носителей заряда,
генерированных в двухслойном полупроводнике электронным пучком.
Прикладная физика
, 2004, № 3, с. 61‒65.
[5]
Khokhlov A.G., Snopova M.G., Stepovich M.A. Simulation of the Distribution
of Minority Carriers, Generated in a Two-Layer Semiconductor Structure by a
Wide Electron Beam.
Crystallography Reports
, 2004, vol. 49, suppl. 1,
рр. S114‒S117.
[6]
Stepovich M.A., Khokhlov A.G., Snopova M.G. Model of Independent Sources
Used for Calculation of Distribution of Minority Charge Carriers Generated in
Two-Layer Semiconductor by Electron Beam.
Proc. SPIE
, 2004, vol. 5398,
рр. 159‒165.
[7]
Burylova I.V., Petrov V.I., Snopova M.G., Stepovich M.A. Mathematical
Simulation of Distribution of Minority Charge Carriers, Generated in Multy-
Layer Semiconducting Structure by a Wide Electron Beam.
Физика и техника
полупроводников
, 2007, т. 41, вып. 4, с. 458‒461.
[8]
Снопова М.Г., Бурылова И.В., Петров В.И., Степович М.А. Анализ модели
распределений неосновных носителей заряда, генерированных в
трехслойной полупроводниковой структуре широким электронным
пучком.
Поверхность. Рентгеновские
,
синхротронные и нейтронные
исследования
, 2007, № 7, с. 1‒6.
[9]
Михеев Н.Н., Петров В.И., Степович М.А. Количественный анализ
материалов полупроводниковой оптоэлектроники методами растровой
электронной микроскопии.
Известия АН СССР. Серия физическая
,
1991,
т. 55, № 8, с. 1474–1482.
[10]
Hsu J.W.P. Near-Field Scanning Optical Microscopy Studies of Electronic and
Photonic Materials and Devices.
Materials Science and Engineering
, 2001,
vol. 33, рр. 1–50.
[11]
Xu Q., Gray M.H., Hsu J.W.P. Resolution and Contrast in Near-Field
Photocurrent Imaging of Defects on Semiconductors.
Journal of Applied
Physics
, 82 (2), 1997, pp. 748–755.
[12]
Donolato C., Klann H. Computer Simulation of SEM Electron Beam Induced
Current Images of Dislocations and Stacking Faults.
Journal of Applied Physics
,
51 (3), 1980, pp. 1624–1623.