1
УДК 517.926:51-73:537.533.9
Распределение неосновных носителей заряда
после их диффузии от тонкого планарного источника
в полубесконечном полупроводниковом материале
с дефектами на поверхности
© В.В. Калманович
1
, М.А. Степович
1
,
Е.В. Серегина
2
, А.К. Горбунов
2
1
Калужский государственный университет им. К.Э. Циолковского,
Калуга, 248023, Россия
2
МГТУ им. Н.Э. Баумана, Калужский филиал, Калуга, 248000, Россия
С помощью методов математического моделирования рассмотрена задача диф-
фузии неосновных носителей заряда (ННЗ), генерированных в полупроводнике ши-
роким электронным пучком. Изучено влияние дефектов на поверхности полупро-
водника на распределение ННЗ после их диффузии от тонкого планарного источ-
ника в полубесконечном полупроводнике. Расчеты проведены для различных
материалов полупроводниковой электроники.
Ключевые слова:
распределение неосновных носителей заряда, дефект, полупро-
водниковые материалы, электронный пучок.
Введение.
Согласно так называемой модели независимых источ-
ников, на диффузию генерированных электронным пучком неравно-
весных ННЗ из любого микрообъема проводника не оказывают влия-
ния электроны или дырки из других микрообластей материала. В
этом случае для одномерной диффузии в полубесконечный полупро-
водник распределение избыточных ННЗ по глубине описывается вы-
ражением
0 0
0
( )
( , ) ,
p z
p z z dz
где функция
0
( , )
p z z
показывает распределение по глубине ННЗ,
генерированных плоским бесконечно тонким источником, находя-
щимся на глубине
0
z
,
0
0,
z
;
z
— координата, отсчитываемая от
плоской поверхности в глубь проводника.
Распределение
0
( , )
p z z
находят как решение дифференциально-
го уравнения
2
0
0
0
2
0
( , )
( , )
( ) (
)
d p z z
p z z
D
z z z
dz