Распределение неосновных носителей заряда после их диффузии от тонкого планарного источника в полубесконечном полупроводниковом материале с дефектами на поверхности

4 / 10

В.В. Калманович, М.А. Степович, Е.В. Серегина, А.К. Горбунов
4
 
 
2 2
0 * 1, 085 1
( ) exp exp ,
1 1 /
ms ss
ms ss ss ms
P z z z z
z
z z z z
     
       
          
   
            
     
где 5 3
0, 024 /eZ A   — коэффициент обратного рассеяния электро-
нов пучка; Z и А — соответственно атомная масса и порядковый но-
мер элемента в периодической таблице; ms z — глубина максималь-
ных потерь энергии первичными электронами, испытавшими мало-
угловое рассеяние и поглощенных мишенью; ss z — глубина
максимальных потерь энергии обратнорассеянными электронами.
Значения ms z и ss z вычисляли (в микрометрах) по формулам [9]
 
2 5/3 4/3
0
8 9 2 2/3
0
1,38 10 0, 042
1 ;
( ) 1 0,187
ms
AE Z
z
z Z Z
  
  
  
     
1/3 ,
ss ms z Z z

где 0 E — в килоэлектрон-вольтах.
Результаты расчетов при различных значениях 0 z для разных ма-
териалов представлены на рис. 1‒3.
Рис. 1. Распределение ННЗ после их
диффузии от тонкого планарного ис-
точника, находящегося на глубине z0
под поверхностью полупроводника, в
материале с дефектом (штриховая
линия) и без дефекта ( сплошная линия).
Материал — кремний Si:
z0 = 1 (а); 2 (б); 3 мкм (в)