5 / 10
Распределение неосновных носителей заряда…
5
Рис. 2.
Распределение ННЗ после их
диффузии от тонкого планарного ис-
точника, находящегося на глубине
z
0
под поверхностью полупроводника, в
материале с дефектом (
штриховая
линия
) и без дефекта (
сплошная линия
).
Материал — арсенид галлия GaAs:
z
0
= 1,1 (
а
); 1,25 (
б
); 1,4 мкм (
в
)
Рис. 3.
Распределение ННЗ после их
диффузии от тонкого планарного ис-
точника, находящегося на глубине
z
0
под поверхностью полупроводника, в
материале с дефектом (
штриховая
линия
) и без дефекта (
сплошная линия
).
Материал — теллурид кадмия CdTe:
z
0
= 0,9 (
а
); 1,1 (
б
); 1,3 мкм (
в
)