Распределение неосновных носителей заряда после их диффузии от тонкого планарного источника в полубесконечном полупроводниковом материале с дефектами на поверхности

6 / 10

В.В. Калманович, М.А. Степович, Е.В. Серегина, А.К. Горбунов
6
Влияние дефекта на распределение ННЗ по глубине полупровод-
ника достаточно заметно уже при значении 9
10
s v  мкм/с. В частно-
сти, при 7
10
s v  мкм/с и 0 z  отношение
деф 0 0
0
( , ) ( , )
100 %
( , )
p z z p z z
p z z
  


составляет 47,6 % для любого материала и при любом значении 0 z [14].
Также можно оценить влияние точечного дефекта на поверхности
полупроводника на распределение ННЗ по глубине:
деф 0 0
0
( , ) ( , )
100 %.
( , )
p z z p z z
p z z
  
  

Значение  убывает с увеличением 0 z и при фиксированном 0 z бу-
дет одинаковым для любого материала (рис. 4).
Рис. 4. Оценка  влияния дефекта на по-
верхности полупроводника на распреде-
ление ННЗ после их диффузии от тонкого
планарного источника, находящегося
на глубине z0
Выводы. В работе на примере различных полупроводниковых ма-
териалов показано влияние дефекта на поверхности на распределение
ННЗ после их диффузии от тонкого планарного источника, находяще-
гося на глубине 0 z , а также дана оценка этого влияния. Выполнен пер-
вый этап задачи о распределении избыточных ННЗ по глубине после их
диффузии в полупроводник с дефектами на поверхности.
Исследования проведены при частичной финансовой поддержке
Минобрнауки РФ (проект № 1.6107.2011), а также Российского фон-
да фундаментальных исследований и правительства Калужской обла-
сти (проект № 14-42-03062).