9
Исследования деградации резонансно-туннельных диодов ...
энергией активации
E
a
(эВ) и временем
t
(с), был выбран равным 25;
k
= 8,617·10
–5
— постоянная Больцмана, эВ·K
–1
.
Энергия активации
E
a
деградационных явлений AuGeNi омических
контактов равна 1 эВ [46, 47].
В результате экспериментальных исследований были получены
ВАХ 32 РТД до и после 1, 3, 8, 17 и 28 ч термического воздействия и
проведена их статистическая обработка. Технологический разброс ВАХ
находится в пределах погрешности измерений, поэтому на рис. 5 (кри-
вая
1
) приведены усредненные по всей партии ВАХ. На том же рисунке
(кривая
2
) представлены смоделированные в программно-расчетном
комплексе dif2RTD вольт-амперные характеристики РТД. Видно, что
экспериментальные и смоделированные ВАХ РТД хорошо согласуются
между собой.
Выводы.
Определены численные характеристики основных дегра-
дационных процессов, происходящих в структуре РТД:
•
активационные параметры диффузии Al и Si в резонансно-тун-
нельной структуре и приконтактных областях;
•
зависимость контактного сопротивления
R
C
AuGeNi омических
контактов от времени и температуры.
Рис. 5.
Экспериментальные (
1
) и смоделированные (
2
) ВАХ РТД до
(
а
); после 1 (
б
); 3 (
в
); 8 (
г
); 17 (
д
) и 28 (
е
) ч термического воздействия
