10
М.О. Макеев, Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, Ю.Н. Литвак, Н.А. Ветрова
В исследуемых РТД на основе AlAs/GaAs наногетероструктур из-
менение ВАХ вызвано преимущественно деградацией омических кон-
тактов. Деградации резонансно-туннельной структуры замечено не
было. Но при более высокой степени дефектности полупроводниковой
гетероструктуры, следствием чего будет увеличение скорости диффузии
Al и Si, деградация может быть существенной, что приведет к измене-
нию формы ВАХ РТД и эксплуатационных характеристик приборов на
их основе.
Полученные в настоящей работе числовые характеристики основ-
ных деградационных процессов могут быть использованы для прогно-
зирования надежности РТД и нелинейных преобразователей радиосиг-
налов на их основе.
Результаты получены в ходе поисковой научно-исследовательской
работы в рамках реализации ФЦП «Научные и научно-педагогические
кадры инновационной России» на 2009–2013 годы.
ЛИТЕРАТУРА
[1] Иванов Ю.А., Мешков С.А., Синякин В.Ю., Федоренко И.А, Федоркова Н.В.,
Федоров И.Б., Шашурин В.Д. Повышение показателей качества радиоэлек-
тронных систем нового поколения за счет применения резонансно-туннель-
ных нанодиодов.
Наноинженения
, 2011, № 1, с. 34–43.
[2] Иванов Ю.А., Малышев К.В., Федоркова Н.В. Наноэлектроника на базе
многослойных гетероструктур.
Изв. ВУЗов. Машиностроение
, 2003, № 5,
с. 73–78.
[3] Алкеев Н.В., Аверин С.И., Дорофеев А.А., Гладышева Н.Б., Торгашин М.Ю.
Резонансно-туннельный диод на основе гетеросистемы GaAs/AlAs для суб-
гармонического смесителя.
Микроэлектроника
, 2010, т. 39, № 5, с. 356–365.
[4] Иванов Ю.А., Федоренко И.А., Федоркова Н.В. Анализ влияния формы ВАХ
резонансно-туннельного нанодиода на параметры смесителя СВЧ-диапазона.
Вопросы инженерной нанотехнологии. Сб. докл. Междунар. конф
. Москва,
МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2008.
[5] Иванов Ю.А., Малышев К.В., Перунов Ю.М. и др. Нанодиод для смесителя.
СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии: тез. докл. 12 между-
нар. Крымской конф
. Севастополь, 2002, с. 462–463.
[6] Прохоров Э.Д.
Квантово-размерные эффекты в твердотельных сверхвы-
сокочастотных приборах
. Харьков: ХНУ им. В.Н. Каразина, 2005, 220 с.
[7] Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Коломийцева Н.В. Комбинированная модель
резонансно-туннельного диода.
Физика и техника полупроводников
, 2005,
т. 39, вып. 9, с. 1138–1145.
[8] Бежко М.П., Безотосный И.Ю., Шмелев С.С. Особенности поведения диф-
ференциальной проводимости резонансно-туннельных структур.
Химия
твердого тела и современные микро- и нанотехнологии: тез. докл. 7 между-
нар. науч. конф
. Кисловодск, 2007, с. 13–14.
[9] Абрамов И.И., Королев А.В. Теоретическое исследование приборных струк-
тур, содержащих резонансно-туннельные диоды.
Журнал технической фи-
зики
, т. 71, вып. 9, с. 128–133.
