2
М.О. Макеев, Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, Ю.Н. Литвак, Н.А. Ветрова
могут быть оптимизированы за счет выбора наилучшей для конкретных
условий применения формы ВАХ нелинейного элемента [4, 5]. Если
исследованиям свойств самих РТД [6–9] и проблемам их радиотехни-
ческих применений [10–13] посвящена обширная библиография, то
надежность РТД изучена слабо.
Структура РТД включает собственно резонансно-туннельную
структуру (РТС) (набор слоев AlAs/GaAs), приконтактные области
(слои Si-легированного GaAs) и омические контакты. Исходя из этого,
форма ВАХ РТД определяется главным образом условиями токопере-
носа в резонансно-туннельной структуре, сопротивлением приконтакт-
ной области полупроводника
R
n–n+
, сопротивлением
R
C
омического кон-
такта. В соответствии с этим основными направлениями изучения тер-
мической деградации РТД являются исследования межслойной диффу-
зии в РТС, диффузии Si в приконтактных областях и деградационных
явлений в омических контактах в процессе изготовления РТД и экс-
плуатации приборов на базе РТД.
Методики экспериментов.
Объектами экспериментальных иссле-
дований служили наноразмерная AlAs/GaAs гетероструктура с при-
контактными областями и 32 РТД (восемь чипов) с одинаковой струк-
турой (рис. 1).
Для экспериментального исследования деградации как AlAs/GaAs
наногетероструктуры с приконтактными областями, так и РТД исполь-
а б
Рис. 1.
Структура исследуемых образцов: AlAs/GaAs
наногетероструктура с приконтактными областями (
а
);
структура резонансно-туннельных диодов (
б
)
