3
Исследования деградации резонансно-туннельных диодов ...
зовался метод ускоренного старения путем термического воздействия
на образец. Температура воздействия была выбрана 300 °C. Предпо-
лагается [14], что при данной температуре действуют те же механизмы
отказов, что и при нормальных условиях эксплуатации.
Термическое воздействие на AlAs/GaAs гетероструктуру с прикон-
тактными областями проводилось в течение 4, 6, 8 и 10 ч (суммарное
время термического воздействия 28 ч) в воздушной среде в электро-
печи сопротивления СНОЛ 6/11, предназначенной для термообработки
изделий при температурах от 50 до 1150 °C с точностью ±5 °C.
Воздействие на 32 РТД также проводилось в течение 1, 2, 5, 9 и 10 ч
(суммарное время термического воздействия 27 ч) в лабораторном воз-
душном термостате, который позволяет варьировать температуру в
диапазоне 40…300 °C с точностью ±5 °C.
Исследование AlAs/GaAs гетероструктуры с приконтактными об-
ластями проводилось на ИК-спектроэллипсометре IR-VASE компании
J.A. Woollam Co., Inc. Основные технические характеристики прибора:
спектральный диапазон — 300…5000 см
–1
(длина волны — от 2 до
33 мкм); спектральное разрешение — 1…64 см
–1
; углы падения — от
30 до 90° (погрешность установки угла ±0,005°).
Эллипсометрические исследования состоят из следующих основ-
ных этапов (рис. 2): измерение спектров эллипсометрических параме-
тров
и
, создание эллипсометрической модели (оптические констан-
ты и толщины слоев),
варьирование параме-
тров модели для полу-
чения наилучшего со-
впадения эксперимен-
тальных и генериро-
ванных на базе этой
модели данных, анализ
и интерпретация полу-
ченных данных.
Исследование ге-
тероструктуры на ИК-
спектро-эллипсометре
IR-VASE проводилось
в диапазоне длин волн
300…3000 см
–1
при
спектральном разре-
шении 4 см
–1
и углах
падения излучения на
образец 60 и 70º. По-
строение эллипсоме-
Рис. 2.
Алгоритм исследований с помощью
ИК-спектрального эллипсометра IR-VASE
