6
М.О. Макеев, Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, Ю.Н. Литвак, Н.А. Ветрова
оказались равными 268, 444 и 516 см
–1
. Осциллятор с волновым числом
268 см
–1
соответствует поперечным оптическим колебаниям фононов
(TO) (268 см
–1
) и продольным оптическим колебаниям фононов (LO)
(малая добавка на 292 см
–1
). Центральные волновые числа осцилляторов
на 444 см
–1
и 516 см
-1
соответствуют гармоникам колебаний фоно-
нов — сумме поперечных оптических колебаний и продольных акусти-
ческих (TO + LA) и сумме двух продольных оптических колебаний
(TO + TO) соответственно [33].
Оптические константы Si-легированного GaAs представляют со-
бой константы исходного GaAs с дополнительной полосой поглоще-
ния, обусловленной наличием свободных электронов вследствие ле-
гирования. Частота этой полосы определяется значением плазменной
частоты
p
[34]:
2
*
0
,
p
Ne
m
(2)
где
e
— заряд электрона;
N
— концентрация свободных носителей за-
ряда;
— относительная диэлектрическая проницаемость среды (для
Рис. 3.
Спектры эллипсометрических параметров
(
а
,
в
) и
(
б
,
г
) нанораз-
мерной AlAs/GaAs гетероструктуры с приконтактными областями до (
а
,
б
)
и после 28 ч (
в
,
г
) термического воздействия:
1
— данные, вычисленные на
базе модели, при угле падения 60°;
2
— экспериментальные данные при угле
падения 60°;
3
— данные, вычисленные на базе модели, при угле падения
70°;
4
— экспериментальные данные при угле падения 70°
