5
Исследования деградации резонансно-туннельных диодов ...
Таблица 1
Эллипсометрические модели AlAs/GaAs гетероструктуры
с приконтактными областями при различных временах
термического воздействия
Описание слоя
Толщины слоев после заданного времени
термических испытаний, нм
0 ч
4 ч
10 ч
18 ч
28 ч
Верхний шероховатый
слой
24,9±2,0 23,3±2,1 24,9±2,2 25,0±2,0 15,9±2,1
n
-GaAs, сильнолегирован-
ный Si (5·10
18
см
–3
)
100,3±1,7 98,6±1,6 97,2±1,8 96,3±1,7 103,4±1,6
Градиентный слой
0
2,7±1,5 4,4±1,5 5,4±1,6 6,7±1,5
n
-GaAs, легированный Si
(2·10
17
см
–3
)
30,0
30,0
30,0
30,0
30,0
Арсенид галлия GaAs
(спейсер)
1,5
1,5
1,5
1,5
1,5
Арсенид алюминия AlAs
(барьер)
1,7
1,7
1,7
1,7
1,7
Арсенид галлия GaAs
(яма)
4,5
4,5
4,5
4,5
4,5
Арсенид алюминия AlAs
(барьер)
3,0
3,0
3,0
3,0
3,0
Арсенид галлия GaAs
(спейсер)
10,0
10,0
10,0
10,0
10,0
n
-GaAs, легированный Si
(2·10
17
см
–3
)
30,0
30,0
30,0
30,0
30,0
Градиентный слой
0
2,9±1,6 4,5±1,8 5,6±1,9 6,9±1,8
n
-GaAs, сильнолегирован-
ный Si (5·10
18
см
–3
)
1005,0±3,0 1003,6±3,0 992,9±3,6 990,4±3,5 991,2±3,6
Градиентный слой
0
3,2±1,8 4,7±1,8 5,8±2,0 7,1±1,9
Подложка GaAs (мм)
0,45
0,45
0,45
0,45
0,45
Нижний шероховатый
слой
90,5±10,0 89,2±10,0 88,8±10,0 88,6±10,0 74,9±10,0
Оптическая модель (показатели преломления
n
и поглощения
k
)
эпитаксиального GaAs были построены с помощью модуля General
Oscillator Layer программной среды WVASE32 на основе трех осцил-
ляторов Лоренца (рис. 4,
а
). Центральные волновые числа осцилляторов
