12
М.О. Макеев, Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, Ю.Н. Литвак, Н.А. Ветрова
[31] Murray J.J., Deal M.D., Allen E.L., Stevenson D.A., Nozaki S. Modeling Silicon
Diffusion in GaAs Using Well Defined Silicon Doped Molecular Beam Epitaxy
Structures.
J. of the Electrochemical Society
, 1992, vol. 137, no. 7, pp. 2037–2041.
[32] Макеев М.О., Иванов Ю.А., Мешков С.А. Исследование деградацион-
ных явлений в наноразмерных AlAs/GaAs гетероструктурах методом
ИК-спектроэллипсометрии.
Наноинженерия
, 2011, № 4, с. 44–48.
[33] Palik E.D.
Handbook of optical constants of solids, vol. 1
. N.Y.: Academic Press,
1985, 785 p.
[34] Fox M.
Optical properties of solids
. Oxford University Press, 2001, 318 p.
[35] Palik E.D.
Handbook of optical constants of solids
, vol. 2. N.Y.: Academic Press,
1991, 1096 p.
[36] Perkowitz S., Sudharsanan R., Yom S.S., T.J. Drummond. AlAs Phonon Parameters
and Heterostructure Characterization.
Solid State Commun.
, 1987, vol. 62, p. 645.
[37] Аззам Р., Башара Н.
Эллипсометрия и поляризованный свет
. Москва, Мир,
1985. [Azzam R.M.A., Bashara N.M.
Ellipsometry and Polarized Light
. Amster-
dam: North-Holland Publ. Co., 1977.].
[38] Свиташева С.Н.
Эллипсометрия шероховатых поверхностей
. Дисс. ... канд.
физ.-мат. наук. Новосибирск, 2009, 240 с.
[39] Aspnes D.E. Optical properties of thin films.
Thin Solid Films
, 1981, vol. 89,
№ 3, pp. 249–262.
[40] Агасиева С.В., Шашурин В.Д. Влияние процесса деградации нанодиода на
качество нелинейного преобразователя сигналов.
Наноинженерия
, 2011,
№ 3, с. 36–40.
[41] Шашурин В.Д., Ветрова Н.А., Назаров Н.В. Определение управляемых па-
раметров для конструкторско-технологической оптимизации СВЧ смесите-
лей радиосигналов на резонансно-туннельных диодах по критерию их на-
дежности.
Наука и Образование. МГТУ им. Н.Э. Баумана. Электрон. журн.
,
2011, № 11. URL:
.
[42] Макеев М.О., Литвак Ю.Н., Иванов Ю.А., Мешков С.А., Мигаль Д.Э.
dif2RTD: свидетельство о государственной регистрации программы для
ЭВМ № 2012661001
, 2012.
[43] Макеев М.О., Иванов Ю.А., Мешков С.А., Назаров В.В. Исследование тер-
мической деградации AuGeNi омических контактов резонансно-туннельных
диодов на базе наноразмерных AlAs/GaAs гетероструктур.
Наука и образо-
вание. МГТУ им. Н.Э. Баумана. Электрон. журн
., 2012, № 9, DOI: http://
dx.doi.org/10.7463/0912.0453636.
[44] Murakami M. Development of refractory ohmic contact materials for gallium
arsenide compound semiconductors.
Science and Technology of Advanced Mate-
rials
, 2002, vol. 3, pp. 1–27.
[45] Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А. Механизмы протекания тока в омических кон-
тактах металл—полупроводник.
Физика и техника полупроводников
, 2007,
т. 41, вып. 11, с. 1281–1308.
[46] Vashchenko V.A., Sinkevitch V.F. Physical limitations of semiconductor devices.
Springer
, 2008, p. 330.
[47] Irvin J.C. The Reliability of GaAs FETs in GaAs FET Principle and Technology,
J.W. Dilorenzo and D.D. Khandelwal (eds).
MA: Artech House
, chapter 6, 1982.
Статья поступила в редакцию 16.07.2013
Ссылку на эту статью просим оформлять следующим образом:
Макеев М.О., Иванов Ю.А., Мешков С.А., Литвак Ю.Н., Ветрова Н.А. Исследо-
вания деградации резонансно-туннельных диодов на базе AlAs/GaAs наногетеро-
структур.
Инженерный журнал: наука и инновации
, 2013, вып. 6. URL: http://
engjournal.ru/catalog/nano/hidden/811.html
