Previous Page  6 / 10 Next Page
Information
Show Menu
Previous Page 6 / 10 Next Page
Page Background

В.Ф. Апельцин

6

Инженерный журнал: наука и инновации

# 12·2017

0

= 1 +

 

 

 

2/3

0

1

0 0

0

ln ,

2

,

  

    

L

L

k S i

s ds i

k

m

s

k

ds

s

(5)

где

0 0

,

 

k

=

 

 

 

 

1/3

0 0

1

0 0

1 0

0 0

2

1

exp 2

  

     

k

C i k

k b

 

0 0

2 arctg

.

12

  

k

Из формулы (5) следует, что действительная часть относительной

диэлектрической проницаемости слоя, обеспечивающая взаимное ин-

терференционное погашение геометро-оптической части поля и пер-

вой дифракционной волны, квантована целочисленным параметром

m

.

Это соответствует счетному набору возможных значений диэлектри-

ческой проницаемости, определяющих необходимое число полуволн

обегающего поля, укладывающихся на пройденном ими оптическом

пути и приходящих в освещенную область в противофазе с геометро-

оптической частью поля в направлении его распространения. В то

время как мнимая часть относительной диэлектрической проницаемо-

сти отвечает за выравнивание амплитуд двух слагаемых рассеянного

поля.

Такой способ минимизации обратного рассеяния можно назвать

обобщенным принципом просветленной оптики. Этот подход легко

распространить и на случай подавления рассеянного поля в несколь-

ких выбранных направлениях.

Явное высокочастотное асимптотическое приближение, получен-

ное обобщенным методом Зоммерфельда для металлического тела

с диэлектрическим покрытием, позволяет получить также некоторые

оптические эффекты, например малый сдвиг наблюдаемого положе-

ния точечного источника в присутствии такого тела [3]. Этот эффект

может быть успешно использован для неразрушающего контроля па-

раметров тонких синтетических пленок (например, в нанотехнологи-

ях). Достаточно предположить равномерное скольжение такой пленки,

подсвечиваемой лучом оптического лазера, по поверхности полиро-

ванного металлического цилиндра. Тогда малое смещение границы

свет — тень позволяет следить за отклонением параметров пленки

(толщина, плотность) от заданных.

Заключение.

Приведенные примеры использования обобщения

метода Зоммерфельда в задачах стационарного рассеяния волн на

ограниченном металлическом теле, покрытом слоем диэлектрика, сви-

детельствуют о том, что в области высоких частот эта модель распро-

странения поля физически более адекватна явлению дифракции волн,