В.Ф. Апельцин
6
Инженерный журнал: наука и инновации
# 12·2017
0
= 1 +
2/3
0
1
0 0
0
ln ,
2
,
L
L
k S i
s ds i
k
m
s
k
ds
s
(5)
где
0 0
,
k
=
1/3
0 0
1
0 0
1 0
0 0
2
1
exp 2
k
C i k
k b
0 0
2 arctg
.
12
k
Из формулы (5) следует, что действительная часть относительной
диэлектрической проницаемости слоя, обеспечивающая взаимное ин-
терференционное погашение геометро-оптической части поля и пер-
вой дифракционной волны, квантована целочисленным параметром
m
.
Это соответствует счетному набору возможных значений диэлектри-
ческой проницаемости, определяющих необходимое число полуволн
обегающего поля, укладывающихся на пройденном ими оптическом
пути и приходящих в освещенную область в противофазе с геометро-
оптической частью поля в направлении его распространения. В то
время как мнимая часть относительной диэлектрической проницаемо-
сти отвечает за выравнивание амплитуд двух слагаемых рассеянного
поля.
Такой способ минимизации обратного рассеяния можно назвать
обобщенным принципом просветленной оптики. Этот подход легко
распространить и на случай подавления рассеянного поля в несколь-
ких выбранных направлениях.
Явное высокочастотное асимптотическое приближение, получен-
ное обобщенным методом Зоммерфельда для металлического тела
с диэлектрическим покрытием, позволяет получить также некоторые
оптические эффекты, например малый сдвиг наблюдаемого положе-
ния точечного источника в присутствии такого тела [3]. Этот эффект
может быть успешно использован для неразрушающего контроля па-
раметров тонких синтетических пленок (например, в нанотехнологи-
ях). Достаточно предположить равномерное скольжение такой пленки,
подсвечиваемой лучом оптического лазера, по поверхности полиро-
ванного металлического цилиндра. Тогда малое смещение границы
свет — тень позволяет следить за отклонением параметров пленки
(толщина, плотность) от заданных.
Заключение.
Приведенные примеры использования обобщения
метода Зоммерфельда в задачах стационарного рассеяния волн на
ограниченном металлическом теле, покрытом слоем диэлектрика, сви-
детельствуют о том, что в области высоких частот эта модель распро-
странения поля физически более адекватна явлению дифракции волн,