Плотность одно- и двухчастичных состояний в кристаллах ниобата лития - page 15

Плотность одно- и двухчастичных состояний в кристаллах ниобата лития
15
Таблица 2
Значение параметров, используемых для описания температурной
зависимости формы спектров КРС ниобата лития
T
, K
(1)
3
λ
(2)
3
λ
Г
ТА
300
18
5
2
400
25
7
2
585
30
12
3
385
32
18
5
1070
36
22
7
1130
38
27
8
1190
39
27
7
1220
40
28
7
Из сопоставления рассчитанного по соотношению (21) спект-
рального распределения интенсивности с экспериментальными спек-
трами КРС получены значения констант резонансного взаимодей-
ствия
(1)
3
,
λ
(2)
3
λ
и затухания акустических фононов ГТА при различ-
ных температурах (см. табл. 2).
Заключение.
Таким образом, теоретически показано, что при
низких температурах в колебательном спектре
A
1
-типа ниобата лития
в области низких частот наряду с фундаментальными оптическими
колебаниями проявляются дополнительные максимумы, обусловлен-
ные резонансным состоянием двух акустических фононов и взаимо-
действием с зоной разностных оптических фононов
Е
-типа. Фунда-
ментальное колебание, которому приписывалось играть роль «мяг-
кой» моды в ранних работах, не проявляет существенного сдвига с
температурой. Однако этот факт вовсе не означает, что наблюдается
фазовый переход типа порядок — беспорядок, а не типа смещения.
В данном случае край зоны двухчастичных переходов попереч-
ных акустических фононов попадает на частоту фундаментального
колебания и взаимодействие между ними, разрешенное по симмет-
рии, приводит к перестройке двухфононного спектра акустических
фононов и выталкиванию одночастичного возбуждения на высокоча-
стотный край зоны. Существование акустического максимума внутри
зоны — резонанса — объясняется эффективным притяжением между
акустическими фононами, возникающими при учете ангармониче-
ского взаимодействия низкочастотного оптического фонона с двух-
фононным акустическим континуумом.
Резонансное состояние акустических фононов с возрастанием
температуры сдвигается на низкочастотный край зоны и обусловли-
вает квазиупругое рассеяние [3, 4, 6]. Ясно, что интенсивность рас-
сеяния света на нем растет, так как возрастает вероятность его вы-
1...,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14 16,17,18
Powered by FlippingBook