9
Некоторые особенности планаризации поверхности подложек изделий ...
механической планаризации для повышения коэффициента планариза-
ции поверхности подложек.
Исследования проведены в пределах поисковой научно-исследова-
тельской работы в рамках реализации ФЦП «Научные и научно-педа-
гогические кадры инновационной России» на 2009–2013 гг. и могут
быть использованы при разработке новых методов и средств планари-
зации поверхностей подложек в микро- и наноэлектронике и микро- и
наносистемной технике, а также при проектировании операций химико-
механического полирования.
ЛИТЕРАТУРА
[1] Холевин В.В. Исследование процесса химико-механического полирования
деталей и узлов микросистемной техники.
Наука и Образование:
электрон-
ное научно-техническое издание, 2011, вып. 10. URL: htpp://technomag.edu.
ru/issue/207707.html (дата обращения 10.10.11).
[2] Нестеров Ю.И., Скворцов К.Ф., Холевин В.В. Прогрессивные методы фи-
нишной обработки монокристаллических подложек ИС.
Труды МВТУ
, 1980,
№ 331.
Технологические проблемы производства электронно-вычислитель-
ной аппаратуры
, с. 20–39.
[3] Варадан В., Виной К., Джозе К.
ВЧ МЭМС и их применение
. Москва, Тех-
носфера, 2004, 528 с.
[4] Sniegowski J.J. Chemical-mechanical polishing: enhancing the manufacturability
of MEMS.
Intelligent Micromachines Deportament
, Sandia National Laboratories,
Albuquerque, NM 87185.-spie96-3.pdf.
[5] Lebrecht von Trotha et al. Advanced MEMS fabrication using CMP.
Semiconductor International
, 8/1/2004.
[6] Гольдштейн Р.В., Осипенко М.Н. Химико-механическое полирование. Часть 1.
Основные закономерности: обзор.
Вестник Пермского Государственного
технического университета
, 2011, № 3, с. 26–42.
Рис. 5.
Распределение величин
u
i
/
u
1
вдоль радиуса подложки
ω
1
= 9,1 1/c; ω
2
= 7,86 1/с;
0
2
1
R
L R
L
