1
УДК 621.382.029.6.001.63;621.396.6.019.3;620.3
Конструкторско-технологическое проектирование
микроэлектронных нелинейных преобразователей СВЧ
радиосигналов на основе многослойных
полупроводниковых наноразмерных
резонансно-туннельных гетероструктур
© С.А. Мешков
МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва, 105005, Россия
Нелинейные преобразователи радиосигналов являются ключевыми элементами
радиотехнических систем. Перспективным направлением повышения качества
нелинейных преобразователей радиосигналов является использование нелинейных
элементов, функционирующих на основе квантоворазмерных принципов токопе-
реноса. Решается задача обеспечения надежности нелинейных преобразователей
радиосигналов СВЧ устройств на основе наноразмерных многослойных полупро-
водниковых резонансно-туннельных гетероструктур. Рассматривается надеж-
ность индивидуальная и в партии изделий. Задача решается на примере смесителя
радиосигналов на базе резонансно-туннельного диода. Использование описанной
методологии проектирования позволит повысить надежность и серийнопригод-
ность нелинейных преобразователей СВЧ радиосигналов.
Ключевые слова:
нелинейные преобразователи радиосигналов, надежность, резонанс-
но-туннельные многослойные полупроводниковые наноразмерные гетероструктуры.
Основные радиотехнические преобразования осуществляются при
помощи нелинейных цепей и элементов. Поэтому качественные харак-
теристики нелинейных преобразователей радиосигналов, такие как
граничные частоты и рабочая полоса, динамический диапазон, допу-
стимая мощность и др., определяют показатели назначения большин-
ства радиотехнических систем.
Одним из путей улучшения качества радиоэлектронных средств
(РЭС) является применение элементной базы на основе многослойных
полупроводниковых гетероструктур [1]. Перспективно использование
полупроводниковых приборов гетероструктурной электроники, функ-
ционирующих на основе квантоворазмерных эффектов. Среди них при-
влекает внимание резонансно-туннельный диод (РТД) на базе много-
слойных наноразмерных полупроводниковых гетероструктур А
3
В
5
с
поперечным токопереносом. Изменяя параметры слоев гетерострукту-
ры (толщину, химический состав), можно управлять формой вольтам-
перной характеристики (ВАХ) и создавать диод с оптимальной для
