11
Конструкторско-технологическое проектирование ...
[2] Иванов Ю.А., Мешков С.А., Федоркова Н.В., Федоренко И.А. Улучшение
параметров приемника СВЧ-диапазона применением резонансно-туннель-
ного нанодиода в преобразователе частоты.
Вестник МГТУ им. Н.Э. Баума-
на, Сер. Приборостроение
, 2010, спец. выпуск «Наноинженерия». Москва,
Изд. МГТУ им. Н.Э. Баумана, с. 128–137.
[3] Иванов Ю.А., Мешков С.А., Шашурин В.Д., Федоркова Н.В., Федоренко И.А.
Субгармонический смеситель с улучшенными интермодуляционными ха-
рактеристиками на базе резонансно-туннельного диода.
Радиотехника и
электроника
, 2010, т. 55, № 8, с. 982–988.
[4] Иванов Ю.А., Мешков С.А., Федоркова Н.В., Федоров И.Б., Шашурин В.Д.,
Синякин В.Ю. Повышение показателей качества радиоэлектронных систем
нового поколения за счет применения резонансно-туннельных нанодиодов.
Часть 1.
Наноинженерия
, 2011, № 1, с. 34–44.
[5] Иванов Ю.А., Мешков С.А., Федоркова Н.В., Федоров И.Б., Шашурин В.Д.,
Синякин В.Ю. Повышение показателей качества радиоэлектронных систем
нового поколения за счет применения резонансно-туннельных нанодиодов.
Часть 2.
Наноинженерия
, 2011, № 1, с. 34–44.
[6] Федоренко И.А., Федоркова Н.В., Шашурин В.Д., Иванов Ю.А. Спектраль-
ные характеристики субгармонического смесителя радиосигналов на осно-
ве резонансно-туннельного диода.
Международная Крымская конференция
«СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии»
(КрыМиКо’2011,
12–16 сентября 2011 г., Севастополь, Украина). Тезисы докладов, с. 181–182.
[7] Иванов Ю.А., Мешков С.А., Шашурин В.Д., Федоркова Н.В. Улучшение
параметров смесителей радиосигналов за счет применения резонансно-тун-
нельных диодов.
Техника и приборы СВЧ
, 2011, № 2, с. 18–25.
[8] Мешков С.А. и др. Перспективы разработки нелинейных преобразователей
радиосигналов на базе резонансно-туннельных нанодиодов.
Вестник МГТУ
им. Н.Э. Баумана. Сер. Приборостроение
, 2012, № 4 (89), с. 100–113.
[9] Иванов Ю.А., Мешков С.А., Макеев М.О., Федоркова Н.В. Исследование
термической деградации AuGeNi омических контактов резонансно-туннель-
ных диодов на базе наноразмерных AlAs/GaAs гетероструктур.
Электронное
научно-техническое издание «Наука и образование»
, 2012, № 9. Эл № ФС
77–48211. Государственная регистрация № 0421200025. ISSN 1994-0408.
[10] Иванов Ю.А., Мешков С.А., Макеев М.О. Исследование деградацион-
ных явлений в наноразмерных AlAs/GaAs гетероструктурах методом
ИК-спектроэллипсометрии.
Наноинженерия
, 2011, № 4, с. 44–48.
[11] Бушминский И.П., Гудков А.Г., Дергачев В.Ф. и др.
Конструкторско-тех-
нологические основы проектирования полосковых микросхем
. Бушмин-
ский И.П., ред. Москва, Радио и связь, 1987, 272 с.
[12] Гудков А.Г., Леушин В.Ю., Мешков С.А. Обеспечение показателей качества
микросхем СВЧ методом вероятностного моделирования.
17-я Международ-
ная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные техно-
логии»: материалы конференции
. Севастополь, 10–14 сентября 2007 г.
[13] Гудков А.Г. Комплексная технологическая оптимизация СВЧ устройств
. 17-я
Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуника-
ционные технологии»: материалы конференции
. Севастополь, 10–14 сентя-
бря 2007 г.
[14] Гудков А.Г.
Радиоаппаратура в условиях рынка. Комплексная технологиче-
ская оптимизация
. Москва, «САЙНС-ПРЕСС», 2008, 336 с.
[15] Гудков А.Г., Ветрова Н.А., Хныкина С.В., Горлачева Е.Н. Прогнозирова-
ние качества и надежности ИС СВЧ на этапах разработки и производства.
Часть 7. Стоимостные характеристики при проектировании и производстве
электронных изделий.
Машиностроитель
, 2008, № 5, с. 44–51.
