8
С.А. Мешков
цессов производства микроэлектронных СВЧ устройств, развитой в
работах И.П. Бушминского [11], А.Г. Гудкова и др. [12–18]. В части
решения задачи анализа вероятности выполнения устройством задан-
ных функций работа опирается на [19].
Исследования надежности смесителей радиосигналов в партии ба-
зируются на изучении физических процессов деградации нелинейного
элемента, а также конструкторско-технологических погрешностей полу-
проводниковой гетероструктуры, топологии РТД, топологии подложки,
размерных, электромагнитных и диэлектрических параметров подлож-
ки. Для построения модели деградации РТД используется программно-
расчетный комплекс dif2RTD. Комплекс позволяет:
•
строить ВАХAlGaAs РТД на основании данных о его конструкции
(толщина и степень легирования приконтактных слоев, толщины
и материалы слоев барьеров и ямы);
•
исследовать влияние деградационных процессов в AlGaAs РТД на
его ВАХ.
Программно-расчетный комплекс учитывает:
•
влияние термического отжига гетероструктуры при ее изготовле-
нии на концентрацию дефектов;
•
электромиграцию и возникновение дефектов при протекании элек-
трического тока;
•
деградацию омических контактов при эксплуатации;
•
деградацию РТС при эксплуатации в результате термической диф-
фузии;
•
деградацию РТС при изготовлении в результате термической диф-
фузии.
Построенная при помощи программно-расчетного комплекса
dif2RTD модель деградацииAlGaAs РТД не связана с какими либо апри-
орными (простейшими) формами зависимости изменения параметров
устройства во времени, как это делается обычно при решении задачи
анализа параметрической надежности [20, 21].
Для моделирования кинетики параметров смесителя радиосигналов
при деградации РТД используется пакет Microwave Office.
Решение задачи обеспечения индивидуальной надежности нели-
нейных преобразователей радиосигналов СВЧ устройств на базе на-
норазмерных многослойных полупроводниковых резонансно-туннель-
ных гетероструктур основывается на селекции полупроводниковых
кристаллов [21, 22].
Определение индивидуальной надежности требует данные о ско-
рости деградации параметров полупроводникового прибора, которая
зависит от внесенных технологических погрешностей при изготовлении
гетероструктуры и прибора. Получение таких данных возможно в рам-
ках технологического эксперимента, основанного на искусственном
«старении» полупроводникового кристалла за счет воздействия темпе-
