10
С.А. Мешков
ся более широкий перечень управляемых параметров, варьируемых в
процессе поиска оптимального решения. Методы и средства технологи-
ческой оптимизации предполагают варьирование номиналов параметров
топологии. Методы и средства конструкторско-технологического про-
ектирования СВЧ нелинейных преобразователей радиосигналов, исполь-
зуемые в настоящей работе, основаны на одновременном варьировании
номинальных параметров как топологии микросхемы, так и гетерострук-
туры нелинейного элемента, определяющей форму его ВАХ. Поскольку
именно форма ВАХ нелинейного элемента оказывает наибольшее влия-
ние на показатели назначения нелинейного преобразователя радиосиг-
налов, возможность ее варьирования расширяет область поиска опти-
мального решения и повышает вероятность нахождения глобального
экстремума целевой функции при заданных условиях.
Полученные в ходе работы результаты позволяют прогнозировать
увеличение ресурса смесителей СВЧ радиосигналов на 20–30% за счет
выбора оптимальной формы ВАХ AlGaAs РТД и параметров его гете-
роструктуры.
Описанный подход к конструкторско-технологическому проекти-
рованию можно распространить на широкий класс радиоэлектронных
устройств на основе многослойных полупроводниковых гетерострук-
тур. Методология конструкторско-технологического проектирования
нелинейных преобразователей радиосигналов на основе многослойных
полупроводниковых резонансно-туннельных гетероструктур базирует-
ся на двух основных блоках. Первый блок — моделирование параме-
тров полупроводниковых приборов на основе многослойных полупро-
водниковых гетероструктур и радиоэлектронных устройств — пред-
ставлен целым спектром программных систем, обзор которых выходит
за рамки настоящей статьи. Второй блок — моделирование кинетики
деградации параметров полупроводниковых приборов на основе много-
слойных полупроводниковых гетероструктур — разработан в меньшей
степени. Однако методология конструкторско-технологического про-
ектирования нелинейных преобразователей радиосигналов на основе
многослойных полупроводниковых резонансно-туннельных гетеро-
структур открыта для пополнения новыми моделями деградации полу-
проводниковых приборов, что позволяет использовать описанный под-
ход для проектирования широкого спектра радиоэлектронных устройств
на основе приборов гетероструктурной электроники различного кон-
структорско-технологического исполнения.
ЛИТЕРАТУРА
[1] Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Добров В.А., Мешков С.А., Попов В.В. Гетеро-
структурная СВЧ электроника в России.
Электромагнитные волны и элек-
тронные системы
, 2012, № 1, с. 4–9.
