6
Я.Б. Волкова, Е.В. Резчикова, В.А. Шахнов
область усиления, вызванного зондовым взаимодействием, не пред-
ставляется возможным, данный подход можно принять как интеграль-
ную методику исследования графена. Такая методика позволяет оце-
нить топологию сформированной графеновой структуры: количество
слоев графена, присутствие химических примесей, дефекты структуры
графена.
График на рис. 4 представляет спектральную характеристику КРС
монослоя графена, полученного методом СVD. Спектральную харак-
теристику графена определяют следующие спектральные линии:
G
(1580 см
–1
) — спектральная линия первого порядка, весьма чув-
ствительная к деформации в атомарной структуре, может использовать-
ся, чтобы исследовать любые изменения в геометрии структуры графе-
на, в частности такое, как напряжение, индуцированное воздействиями
одного слоя графена на другой в нескольких слоях графена [4];
G
ʹ
(2666 см
–1
) — спектральная линия второго порядка (обертон
G
).
Процесс второго порядка, определяющий зависимость любых возму-
щений в электронной и/или фононной структуре графена [4].
Отношение пиков
G
ʹ
/
G
> 2 указывает на монослойность графена.
В случае, когда отношение
G
ʹ
/
G
< 1, по форме пика
G
ʹ
можно судить о
количестве слоев в полученном мультиграфене;
D
(1335 см
–1
),
D
ʹ
(2400 см
–1
) и
D
+
D
ʹ
— спектральные линии, опре-
деляющие деформации, разупорядоченности и дефекты в кристалли-
ческой структуре. Незначительная интенсивность пиков говорит о хо-
рошем качестве графена [4]. В таблице приведены пики спектральной
характеристики графена, показанной на рис. 4.
Рис. 4.
Спектральная характеристика графена
