10
Я.Б. Волкова, Е.В. Резчикова, В.А. Шахнов
для его анализа, что связано с деформацией кристаллической структуры
в виде «складки» либо наличием на поверхности загрязнений
(возможно, остатков ПММА).
Спектральный анализ показал: соотношение пиков
G
′/
G
сви-
детельствует о том, что графеновая пленка состоит из областей с двумя
и более слоями. Микрорамановская карта распределения
G
′ указывает,
что в большей мере сформированная структура состоит из 2LG слоев
графена. На всех спектрах присутствуют
D-
,
D
′- и
D
+
D
′-пики, свиде-
тельствующие о наличии деформаций в кристаллической структуре
графеновой пленки, а также механических напряжений. В спектре при-
сутствует характерный пик кремния, являющегося материалом под-
ложки, что свидетельствует о прозрачности участков графеновой плен-
ки. Это подтверждает перспективность данной технологии и прибли-
жает к созданию монослойных пленок графена.
Выводы.
Результаты интегральной оценки, объединяющей в себе
метод конфокальной микроскопии комбинационного рассеяния света
(КРС) и «полуконтактный» метод атомно-силовой микроскопии (АСМ),
позволили детально исследовать полученные углеродные структуры с
точки зрения топологических характеристик. Измеренные латеральные
размеры структур графена, полученных путем комбинации литографии
сфокусированным ионным пучком и электронной литографии, отлича-
ются от заданных на 1,2%. У полученных структурированных пленок
графена практически не возникают механические напряжения и дефор-
мации по периметру кромки графена.
Предложенный и реализованный маршрут изготовления структу-
рированных графеновых пленок позволяет размещать функциональные
слои графена в требуемой области. Но в процессе переноса в графено-
вой пленке могут появляться дефекты в виде «складок», которые при-
водят к деформации кристаллической структуры графена в целом.
Авторы благодарят заведующего Лабораторией высококачествен-
ных и совершенных пленок Института проблем технологии микро-
электроники и особочистых материалов РАН (ИПТМ РАН), г. Черно-
головка, ведущего научного сотрудника, канд. техн. наук Матвеева В.Н.
и старшего научного сотрудника канд. физ.-мат. наук Кононенко О.В.
за предоставление образцов и технической информации.
ЛИТЕРАТУРА
[1] Novoselov K.S., Geim A.K.
The electronic properties of graphene
. Department
of Physics and Astronomy, University of Manchester, Manchester, M13 9PL,
United Kingdom, 14 January 2009, 54 p.
