3
Методы получения и результаты исследования свойств графена
растаться на поверхности до тех пор, пока не столкнутся с границей
разрастания другого зародыша, после чего начинается «наползание»
одного слоя на другой. Место, где началось разрастание графенового
слоя, называется центром роста.
На рис. 2 приведена схема экспериментальной установки для син-
теза
sp
2
-гибридизированного углерода. Подложки с катализатором
помещают в камеру, представляющую собой кварцевую трубу, после
чего осуществляют выращивание тонких графеновых пленок на ни-
келевом катализаторе согласно маршруту, приведенному ниже:
1) в рабочем объеме достигается давление 10
–4
Па;
2)
температура рабочей зоны доводится до температуры синтеза
графена (850…1000 °C);
3)
в рабочую зону (контейнер) напускается ацетилен до давления 2 Па;
4)
производится синтез графена от 5 с до 5 мин;
5)
восстанавливается давление в контейнере 10
–4
Па;
6)
производится охлаждение контейнера.
Наиболее важными параметрами для проведения синтеза графена
являются чистота вакуума в рабочей камере, термостабильность про-
ведения процесса, скорость охлаждения контейнера по завершению
процесса и чистота углеводорода.
Получение структурированных пленок графена.
Одной из
основных задач при использовании графена в микро- и наноэлек-
тронной и микро- и наносистемной технике является осуществле-
ние возможности размещения функциональных слоев графена в
требуемой области [3]. Идеальным вариантом было бы непосред-
ственное формирование графена в требуемой зоне, например, в
соответствии с местоположением катализатора. Однако на данном
этапе развития технологии получения графена это не представля-
Рис. 1.
Вид сверху и сбоку одного из возможных механизмов
формирования графена на решетке Ni (111)
