1
УДК 53.088
Погрешность определения состава загрузки
для роста слитков мультикристаллического кремния
© И.С. Кутовой
1
, И.Н. Радченко
2
1
ООО «Гелио-ресурс», Мытищи, 141000, Россия
2
КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, Калуга, 248000, Россия
Описана методика и приведены результаты расчета погрешности определения целе-
вой концентрации носителей заряда. Определены основные параметры, которые влия-
ют на погрешность измерения удельного электрического сопротивления на слитке,
полученном при использовании описанной в статье загрузки для его роста.
Ключевые слова:
мультикристаллический кремний, концентрация носителей заря-
да, удельное электрическое сопротивление, погрешность.
Введение.
Мультикристаллический кремний до сих пор остается
наиболее распространенным полупроводниковым материалом, исполь-
зуемым при изготовлении фотоэлектрических преобразователей, в том
числе солнечных батарей наземного и космического базирования.
В связи с этим при росте слитков
одним из основных критериев их ка-
чества является точность достижения требуемых электрофизических
параметров, в частности удельного электрического сопротивления
.
Исходя из этого, одной из важнейших является задача определения по-
грешности вычисления
на этапе подготовки загрузки для роста слитка
мультикристаллического кремния с заданными параметрами.
Методика расчета
. Для снижения затрат в технологическом
процессе получения кремниевых пластин применяют как чистый по-
ликристаллический кремний, так и отходы производства «электрон-
ного» кремния. Основными компонентами загрузки при этом явля-
ются поли-кремний, скрап (тигельные остатки), переплавленные
монокристаллы, отходы поликристаллического кремния (поликрем-
ниевые стержни с графитовыми электродами), а также возвратные
отходы, представленные обрезью предыдущих процессов обработки
слитков. Таким образом, загрузка для роста слитков является много-
компонентной, т. е. состоит из нескольких частей исходного кремния
p
- и
n
-типа проводимости.
В рамках данной статьи принято, что части загрузки
n
-типа леги-
рованы элементом VA группы (фосфором), а части
р
-типа — элемен-
том IIIA группы (бором). После определения состава и массы частей
загрузки, поступающих на выращивание, рассчитывают требуемое
количество лигатуры, необходимое для достижения заданного значе-
ния
в слитке.
