Погрешность определения состава загрузки для роста слитков мультикристаллического кремния - page 5

Погрешность определения состава загрузки для роста слитков…
5
Таким образом, абсолютная и относительная погрешности опре-
деления целевой концентрации составили:
цел
15
3
1,8 10 ат /см ;
C
  
цел
цел
21,9 %.
C
C
Заключение
. В результате проведенных вычислений установле-
но, что при указанном в табл. 1 составе исходной загрузки учет всех
вносимых погрешностей может приводить к изменению реальной
концентрации
цел
C
в пределах
15
3
8, 25 1,8 10 ат/см .
 
При этом ре-
альное значение
при заданном
=
1,7 Ом см
попадает в диапазон
значений
1, 44...2,18 Ом см.
Как показал проведенный анализ, наибольший вклад в суммар-
ную погрешность вносят погрешности определения концентраций
носителей заряда в частях загрузки
p
- и
n
-типа и лигатуры. Их можно
быть существенно уменьшить, обеспечив возможность прямого
определения концентрации носителей заряда (без пересчета из
удельного электрического сопротивления). Однако в реальных усло-
виях производства мультикристаллического кремния с заданными
параметрами представленная в статье методика является наиболее
экспрессной и менее затратной.
Результаты измерения удельного электрического сопротивления
на слитке мультикристаллического кремния, полученном при ис-
пользовании данной загрузки, показали хорошее соответствие рас-
четным данным.
ЛИТЕРАТУРА
[1] Нашельский А.Я.
Производство полупроводниковых материалов
. Москва, Ме-
таллургия, 2003.
Статья поступила в редакцию 03.04.2014
Ссылку на эту статью просим оформлять следующим образом:
Кутовой И.С., Радченко И.Н. Погрешность определения состава загрузки
для роста слитков мультикристаллического кремния.
Инженерный журнал:
наука и инновации
, 2014, вып. 6. URL:
machin/matsci/1262.html
Кутовой Игорь Станиславович
родился в 1957 г., окончил МИСиС в 1980 г.
Начальник цеха роста слитков мультикристаллического кремния ООО «Гелио-
Ресурс» (МО, г. Мытищи). Область научных интересов: технологии материалов
электронной техники (теллурид кадмия, мышьяк, мультикристаллический крем-
ний). e-mail:
Радченко Ирина Николаевна
родилась в 1961 г., окончила ЛПИ им. М.И. Калинина в
1984 г. Кан. физ.-мат. наук, доцент кафедры «Физика» КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана.
Область научных интересов: физическая электроника и физика твердого тела.
e-mail:
1,2,3,4 6
Powered by FlippingBook