Исследование границы металлизации микроэлектронных структур с помощью конфокальной микроскопии - page 3

3
Исследование границы металлизации микроэлектронных структур ...
буртик), а после края (при
Х
в диапазоне 54…150 мкм) — снижение
уровня поверхности подложки с напыленным слоем сплава.
Сплав серебра с германием на кремнии.
Схожая картина наблю-
дается и в случае кремниевой подложки с металлизацией Ag-Ge, окна
в которой формировались с помощью фотолитографии и последующе-
го травления в азотной кислоте (рис. 5).
На рис. 6 дана конфокальная микрофотография структуры — вид
сверху на пластину кремния с нанесенным сплавом Ag-Ge, в котором
протравлены окна. Уровни высот структуры кодируются оттенками
серого цвета. Справа от фотографии расположена кодировка. Видны
зоны влияния края расположения металлизации. В окнах наблюдает-
ся картина фигур травления монокристаллического кремния, при этом
хорошо выявляется характерная для подложек с ориентацией поверх-
ности (100) симметрия 4-го порядка. Кроме того, на серии оконных
полосок слева внизу отчетливо видно, что зоны влияния края окна
перекрываются. Эти снимки свидетельствуют о том, что вблизи края
окна подложка неоднородно деформирована, хотя и, по нашему мне-
нию, упруго.
Рис. 4.
Сечение слоя на подложке вдоль визирной линии длиной 155 мкм
Рис. 5.
Маршрут изготовления образцов с использованием крем-
ниевой подложки
1,2 4,5
Powered by FlippingBook