Исследование границы металлизации микроэлектронных структур с помощью конфокальной микроскопии - page 2

2
П.С. Захаров, В.С. Зайончковский, Е.Б. Баскаков
5·10
–5
мм рт. ст. Температура под-
ложки в момент распыления состав-
ляла примерно 300 °C. Схема изго-
товления образцов представлена на
рис. 1.
На рис. 2 и 3 видна граница на-
пыленного слоя, находящаяся на
буртике, который представляет со-
бой резкое поднятие материала под-
ложки вблизи этой границы. Возвы-
шение может иметь величину до
40 нм над средней линией профиля.
Толщина металлизации составляет
примерно 16 нм. Из рис. 4 видно,
что перед краем сплава (от 10 до
40 мкм по оси
Х
) имеется поднятие
материала подложки (образуется
Рис. 1.
Схема изготовления образ-
цов с использованием арсенид-гал-
лиевой подложки
Рис. 2.
Сечение слоя сплава на подложке
в изометрии
Рис. 3.
Характерные размеры буртика
1 3,4,5
Powered by FlippingBook