22
Г.Р. Сагателян, К.Л. Новоселов, А.В. Шишлов, С.А. Щукин
жимов ПХТ в сочетании с применением тонкопленочной маски из мате-
риала «Тиал» в перспективе позволит формировать также перемычки в
пластине акселерометра за счет создания углублений глубиной 210 мкм.
3. Для получения требуемых точностных характеристик элементов
пластины акселерометра, формируемых плазмохимическим травлени-
ем, необходимо обеспечить равномерность толщины тонкопленочного
покрытия, используемого в качестве маски. Разработанная методика
математического моделирования формирования толщины материала в
процессе ионно-плазменного напыления с магнетронным распылением
мишени позволяет обеспечить итоговую равномерность покрытия за
счет оптимизации геометрических и кинематических факторов.
Работа выполнена в соответствии с Постановлением Правитель-
ства РФ№ 218 от 5 апреля 2010 г на основании договора 13.G25.31.0020
между Минобрнауки РФ и ОАО «МЗ «Сапфир» о создании высокотех-
нологичного производства.
ЛИТЕРАТУРА
[1] Гибридные микроэлектромеханические гироскопы и акселерометры.
Наука
и образование: электронное научно-техническое издание
, 2011, № 10. URL:
technomag.edu.ru/doc/21957.html.
[2] Мостяев В.А., Дюжиков В.И.
Технология пьезо- и акустоэлектронных
устройств
. Москва, Изд-во «Ягуар», 1993, с. 83–99.
[3] Кондратенко В.С.
Состав для алмазного инструмента
. Патент № 2169658
Российская Федерация.
[4] Берлин Е.В., Сейдман Л.А.
Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной
технологии
. Москва, Изд-во «Техносфера», 2010, с. 457–488.
[5] Одиноков С.Б., Сагателян Г.Р. Технология изготовления дифракционных и
голограммных оптических элементов с функциональным микрорельефом
поверхности методом плазмохимического травления.
Вестник МГТУ
им. Н.Э. Баумана. Сер. «Приборостроение»
, 2010, № 2, с. 92–104.
Статья поступила в редакцию 16.07.2013
Ссылку на эту статью просим оформлять следующим образом:
Сагателян Г.Р., Новосёлов К.Л., Шишлов А.В., Щукин С.А. Применение нано-
технологических методов для изготовления пластины маятникового акселерометра.
Инженерный журнал: наука и инновации
, 2013, вып. 6. URL:
catalog/nano/hidden/805.html
Сагателян Гайк Рафаэлович
родился в 1953 г., с отличием окончил Ереван-
ский Политехнический Институт по специальности «Технология машиностроения,
металлорежущие станки и инструменты» в 1975 г. Д-р техн. наук, профессор
кафедры «Технологии приборостроения» МГТУ им. Н.Э. Баумана. Специалист в
области технологий изготовления прецизионных изделий приборостроения. e-mail:
