8
B.В. Андреев, А.А. Столяров, Д.М. Ахмелкин, А.В. Романов
симостей), измеряли сдвиг напряжения плоских зон
V
FB
по C—V
характеристикам и величину изменения напряжения на образце при
инжекции той же плотностью тока при отрицательной полярности
Аl-электрода
V
I
(–). Зависимости
V
FB
имели вид, близкий к кривым,
изображенным на рис. 3. Это свидетельствует об однородном протека-
нии инжекционного тока по площади МДП-структуры [12].
С учетом экспериментальных зависимостей
V
I
и
V
I
(–) проводили
расчет центроида и плотности отрицательного заряда, накапливаемого
в диэлектрической пленке при инжекции электронов из Si. Результаты
расчета центроида заряда для всех семи групп образцов приведены в
табл. 1.
Анализируя экспериментальные данные, сведенные в табл. 1, мож-
но сделать вывод, что ответственным за накопление отрицательного
заряда в МДП-структуре Si—SiO
2
—ФСС—Al является пленка ФСС.
Причем плотность накапливаемого отрицательного заряда возрастает
с увеличением концентрации фосфора в ФСС.
Термополевая стабильность отрицательного заряда, захватывающего-
ся в пленке ФСС при модификации параметров МДП-приборов, имеет
первостепенное значение, поскольку определяет надежность и долговеч-
ность работы приборов. Для оценки термополевой стабильности отрица-
тельного заряда после модификации зарядового состояния МДП-структур
проводилось измерение токов ТСД при скорости роста температуры
0,2 К/с. На рис. 4 приведены кривые тока ТСД для структур, не подвергав-
шихся модификации (
1
), и после модификации импульсом тока положи-
Рис. 3.
Зависимость приращения напряжения на
МДП-структуре при инжекции электронов из крем-
ния импульсом тока
j
0
= 1 мкА/см
2
от величины
инжектированного заряда для образцов различ-
ных групп (cм. табл. 1): I — (
1
); II — (
2
); III — (
3
);
IV — (
4
); V — (
5
); VI — (
6
); VII —
(
7
)
