3
Сильнополевая инжекционная модификация наноразмерных пленок
изготовлены семь групп образцов со структурой Si—SiO
2
—ФСС—Al,
отличающиеся параметрами слоя ФСС, которые приведены в табл. 1.
Технологический процесс диффузии фосфора контролировался по
измерениям величины сопротивления растекания диффузионных слоев
(ρ
s
, Ом/
)
[11], измеряемого четырехзондовым методом на пластинах-
спутниках КДБ-7,5, легированных совместно с исследуемыми образца-
ми. В результате использования различного времени загонки фосфора
было получено пять групп образцов с сопротивлением растекания диф-
фузионных слоев от 83 до 950
Ом/
(табл. 1) [11, 12], что лежит в
пределах рабочего диапазона этих значений в унифицированном тех-
нологическом процессе формирования подзатворного диэлектрика
КМДП-ИС.
Величина подвижного заряда, измеренного по методу термополевой
обработки (
Т
= 200 °C;
V
= +20 В), для образцов всех групп не превы-
шала 2 · 10
10
q
/см
2
. Толщина пленки ФСС измерялась методом химиче-
ского травления в селективном травителе (азотная кислота — 31 мл,
фтористоводородная кислота — 46 мл, вода деионизованная — 923 мл).
Толщина пленки ФСС определялась как разность толщины диэлектри-
ческой пленки (измеренной эллипсометрическим методом) до и после
травления [11].
Таблица 1
Параметры пленки ФСС
Наименование параметра,
единица измерения
Номер группы
I II III IV V VI VII
1. Время загонки фосфора, мин
1,5 2 3 4 5 6 7
2.
Сопротивление растекания диффузион-
ного слоя
s
, измеренное на пластинах-
спутниках КДБ-7,5, Ом/
950 900 770 380 212 92 83
3. Толщина слоя ФСС, измеренная мето-
дом травления, нм
9 11 13 18 22 27 30
4. Концентрация фосфора, %
0,5 0,6 0,7 1,0 1,2 2,0 2,3
5.
Пространственное расположение цен-
троида заряда (начало отсчета — грани-
ца Si—SiO
2
)
X
, нм
92 91 90 87 86 84 82
Изменение зарядового состояния МДП-структур контролировали с
использованием C—V метода и метода управляемой токовой нагрузки
[13–15], заключавшегося в приложении к образцу импульса тока специ-
альной формы, обеспечивающего заряд емкости МДП-структуры и по-
