12
B.В. Андреев, А.А. Столяров, Д.М. Ахмелкин, А.В. Романов
шаяся после отжига термостабильная компонента отрицательного за-
ряда начинает релаксировать лишь при температурах выше 230 °C и
может использоваться для корректировки порогового напряжения и полу-
чения приборов с высокой термополевой стабильностью. Оценочные
расчеты постоянной времени релаксации термостабильной компоненты
отрицательного заряда, остающейся после такого отжига, в диапазоне
рабочих температур МДП-приборов дали значения более 4·10
8
с.
3. Установлено, что как плотность накапливаемого отрицательного
заряда, так и плотность его термостабильной компоненты возрастает с
увеличением концентрации фосфора в ФСС. Однако с повышением
концентрации фосфора возрастает толщина пленки ФСС, что непри-
емлемо для тонких подзатворных диэлектриков, и сильнее проявляют-
ся деградационные процессы при воздействии сильнополевой инжек-
ции. Следовательно, увеличение диапазона коррекции электрофизиче-
ских параметров МДП-приборов более предпочтительно менять соот-
ношением между толщиной диоксида кремния и ФСС, смещая центро-
ид отрицательного заряда к границе раздела Si—SiO
2
.
Работа выполнена в рамках реализации проектов Министерства
образования и науки РФ, а также при финансовой поддержке РФФИ
и администрации Калужской области (грант № 12-02-97533).
ЛИТЕРАТУРА
[1] Bondarenko G.G., Andreev V.V., Stolyarov A.A., Tkachenko A.L. Modification
of metal-oxide-semiconductor devices by electron injection in high-fields.
Vacu-
um
, 2002, vol. 67/3–4, pp. 507–511.
[2] Bondarenko G.G., Andreev V.V., Maslovsky V.M., Stolyarov A.A., Drach V.E.
Plasma and injection modification of gate dielectric in MOS structures.
Thin
solid films
, 2003, vol. 427, pp. 377–380.
[3] Andreev V.V., Bondarenko G.G., Stolyarov A.A., Vasyutin D.S., Mikhal’kov A.M.
Influence of High_Field Electron Injection Regimes on Modification of Dielectric
Films of MOS Devices.
Inorganic Materials: Applied Research
, 2010, vol. 1,
no. 2, pp. 105–109.
[4] Зайцев Н.А., Красников Г.Я., Неустроев С.А. Воздействие паров PCl
3
на
свойства структур Si-SiO
2
.
Изв. АН СССР: Неорган. Материалы
, 1989, т. 25,
№ 3, с. 403–405.
[5] Mikhailovskii I.P., Potapov P.V., Epov A.E. Sign of the charge accumulated in
thermal films of silicon MIS structures under high electric field condition.
Phys.
Stat. Sol.(a)
, 1986, vol. 94, pp. 679–685.
[6] Солдатов В.С., Воеводин А.Г., Коляда В.А. Модель генерации поверхност-
ных состояний в МДП-структурах при туннельной инжекции.
Поверхность
,
1990, № 7, с. 92–97.
[7] Balk P., Eldridge J.M.
Phosphosilicate glass stabilization of FET devices. Proc.
IEEE
, 1969, vol. 57, pp. 1558–1563.
[8] Lombardo S., Stathis J.H., Linder P., Pey K.L., Palumbo F., Tung C.H. Dielectric
breakdown mechanisms in gate oxides.
J. Appl. Phys
, 2005, vol. 98, pp. 121–301.
