13
Сильнополевая инжекционная модификация наноразмерных пленок
[9] Гриценко В.А., Тысченко И.Е., Попов В.П., Перевалов Т.В.
Диэлектрики в
наноэлектронике
. Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2010, 258 с.
[10] Afanas’ev V.V., Stesmans A. Internal photoemission at interfaces of high-k insu-
lators with semiconductors and metals.
J. Appl. Phys
, 2007, vol. 102, pp. 81–301.
[11] Андреев В.В., Барышев В.Г., Сидоров Ю.А., Столяров А.А. Влияние кон-
центрации фосфора в пленках SiO
2
на характеристики МДП-систем.
Техно-
логия и конструирование в электронной аппаратуре
, 1993, вып. 3, с. 56–59.
[12] Андреев В.В., Барышев В.Г., Бондаренко Г.Г., Столяров А.А., Шахнов В.А.
Зарядовая деградация МДП-систем с термическим оксидом кремния, пас-
сивированным фосфорно-силикатным стеклом, при высокополевой туннель-
ной инжекции.
Микроэлектроника
, 1997, № 6, с. 640–646.
[13] Андреев В.В., Барышев В.Г., Бондаренко Г.Г., Столяров А.А. Метод много-
уровневой токовой нагрузки для исследования генерации и релаксации по-
ложительного заряда в МДП-структурах.
Микроэлектроника
, 2003, т. 32,
№ 2, с. 152–158.
[14] Андреев В.В., Столяров А.А., Дмитриев В.Г., Романов А.В. Инжекционные
методы контроля подзатворного диэлектрика МДП-ИМС.
Наукоемкие тех-
нологии
, 2012, т. 13, № 10, с. 20–28.
[15] Andreev V.V., Bondarenko G.G., Maslovsky V.M., Stolyarov A.A. Multilevel
current stress technique for investigation thin oxide layers of MOS structures
. IOP
Conf. Series: Materials Science and Engineering
, 2012, vol. 41, pp. 12–17.
[16] Булушева М.А., Попов В.Д., Протопопов Г.А., Скородумова А.В. Физическая
модель процесса старения МОП-структуры.
Физика и техника полупрово-
дников
, 2010, т. 44, вып. 4, с. 527–532.
[17] Гороховатский Ю.А.
Основы термодеполяризационного анализа
. Москва,
Наука, 1981, 176 с.
[18] Левин M.Н., Гитлин В.Р., Татаринцев А.В., Остроухов С.С., Кадменский С.Г.
Рентгеновская корректировка пороговых напряжений в производстве МДП
интегральных схем.
Микроэлектроника
, 2002, т. 31, № 6, с. 408–413.
[19] Андреев В.В., Бондаренко Г.Г., Дегтярев В.Т., Столяров А.А., Драч В.Е. Ис-
следование процессов сильнополевой инжекционной модификации и дегра-
дации МДП-структур.
Перспективные материалы
, 2004, № 2, с. 20–26.
Статья поступила в редакцию 16.07.2013
Ссылку на эту статью просим оформлять следующим образом:
Андреев B.В., Столяров А.А., Ахмелкин Д.М., Романов А.В. Сильнополевая
инжекционная модификация наноразмерных диэлектрических пленок в МДП-
приборах.
Инженерный журнал: наука и инновации
, 2013, вып. 6. URL: http://
engjournal.ru/catalog/nano/hidden/802.html
Андреев Владимир Викторович
родился в 1963 г., окончил МВТУ им. Н.Э. Бау-
мана в 1988 г. Д-р техн. наук, профессор кафедры «Конструирование и производство
электронной аппаратуры» МГТУ им. Н.Э. Баумана, Калужский филиал. Автор более
160 научных публикаций в области микроэлектроники и физики полупроводников и
диэлектриков. е-mail:
Столяров Александр Алексеевич
родился в 1956 г., окончил МВТУ им. Н.Э. Бау-
мана в 1979 г. Д-р техн. наук, профессор, заведующий кафедрой «Конструирование и
производство электронной аппаратуры» МГТУ им. Н.Э. Баумана, Калужский филиал.
Автор более 180 научных публикаций в области микроэлектроники и физики полупрово-
дников и диэлектриков. е-mail:
