ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. «Приборостроение». 2012
53
U
ЧЭ
=
U
–
i
э
R
н
,
где
U
— стабилизированное напряжение питания;
i
э
— ток эмиссии;
R
н
— сопротивление нагрузки.
Рис. 2. Эквивалентная электрическая схема включения ЧЭ
При этом ток эмиссии
i
э
будет пропорционален температуре
Т
микробиметаллической площадки:
I
э
=
K
ЧЭ
T
, A/K,
где
K
ЧЭ
= K
Т
K
э
— коэффициент преобразования НТЭМП;
K
Т
— ко-
эффициент преобразования температуры в перемещение, м/K;
K
э
—
коэффициент преобразования перемещения в ток эмиссии, A/м.
Таким образом, измеряя ток эмиссии, получаем информацию о
потоке теплового излучения. Предварительные исследования показа-
ли, что теоретически при выбранной площади чувствительной пло-
щадки плотность тока эмиссии достигает достаточных значений, что
позволит существенно уменьшить размеры ЧЭ, увеличив таким обра-
зом его температурную чувствительность. Практически размеры ЧЭ
НТЭМП определяются технологией его изготовления.
Отличительной особенностью предложенных наноэлектромеха-
нических преобразователей для регистрации длинноволнового оп-
тического излучения является наличие в структуре ЧЭ НТЭМП вис-
кера, являющегося источником электронов и обеспечивающего яв-
ление АЭЭ.
При этом зависимость тока эмиссии от напряженности поля в за-
зоре определяется известным уравнением Фаулера—Нордгейма [5, 6]:
2
3/2
э
э
э
exp
,
U
i
AS
B
U

1,2,3,4 6,7,8