Технологии расснаряжения боеприпасов…
7
На рис. 6 представлены зависимости от времени индукции внеш-
него магнитного поля и магнитного поля в полости проводящей обо-
лочки, когда время выхода внешнего поля на максимум
max
/ 2
t
совпадает с постоянной времени диффузии
0
.
На графиках видно,
что максимальная интенсивность магнитного поля в полости оболо-
чек несколько ниже амплитуды внешнего магнитного поля и дости-
гается в более поздний момент времени.
Рис. 6.
Изменение во времени индук-
ции внешнего магнитного поля
внеш
B
и магнитного поля в полости проводя-
щей оболочки
вн
B
Анализ выражения (4) позволил определить соотношения между
максимальными значениями индукции внешнего магнитного поля
внешmax
B
и магнитного поля в полости оболочки
внmax
,
B
а также меж-
ду моментами их достижения
max
t
и
max
i
t
для различных значений
отношения
0 max
/ .
t
Из приведенных на рис. 6 графиков следует, что эффективная
диффузия внешнего магнитного поля в полость оболочки обеспечи-
вается при выполнении условия
0
max
. 3
t
В этом случае амплитуд-
ные значения интенсивности внешнего магнитного поля и магнитно-
го поля в полости оболочки практически совпадают.
Размыкание разрядной цепи индуктора для сброса внешнего маг-
нитного поля на второй стадии процесса магнитно-импульсного от-
деления оболочки от наполнителя должно производиться в момент
времени
max
i
t
(см. рис. 4), соответствующий максимуму индукции
магнитного поля в полости оболочки, т. е. несколько позднее момен-
та выхода на максимум
max
t
внешнего магнитного поля. Интенсив-
ность внешнего магнитного поля при этом должна снижаться за ми-
нимально возможное время. В этом случае на оболочку действуют
максимальные пондеромоторные силы. Современные коммутирую-
щие устройства позволяют разомкнуть электрическую цепь за десят-
ки микросекунд.
Для изучения процессов, сопровождающих деформирование про-
водящей оболочки под действием магнитного поля, разработана фи-
зико-математическая модель, реализованная в рамках одномерной с
осевой симметрией задачи механики и электродинамики сплошных
сред (рис. 7).