2 / 16
А.В. Бабкин, С.В. Ладов, С.В. Федоров
2
потерям энергии на разогрев материала циркулирующими вихревыми
токами.
Рис. 1.
Схема МИО:
1
— зарядное устройство;
2
— емкостной накопитель;
3
— разрядный коммутатор;
4
— индуктор;
5
— дефор-
мируемая заготовка (
В
— индукция магнитного поля)
Глубина проникновения в металл переменного электромагнитного
поля (иначе — толщина скин-слоя) определяется соотношением [3]
0
1/2
и
,
2
(1)
где
и
— время импульса;
0
— магнитная постоянная;
— удельная
электрическая проводимость материала заготовки.
При МИО частоту импульсного разряда выбирают такой, чтобы
глубина проникновения магнитного поля в деформируемую заготов-
ку была меньше ее толщины. Несоблюдение этого условия ведет к
уменьшению значения КПД.
В статье рассмотрена возможность применения технологий МИО
к расснаряжению боеприпасов при их утилизации [4, 5]. Ранее авто-
рами достаточно подробно были исследованы возможности управ-
ления эффектами взрыва и высокоскоростного удара с помощью
электромагнитных воздействий [6, 7]; поведение металлических ку-
мулятивных струй при пропускании по ним импульсного электриче-
ского тока [8–10]; влияние магнитного поля, создаваемого в кумулятив-
ной облицовке, на функционирование кумулятивных зарядов [11–13];
возможность генерации сильных магнитных полей в проводящих ма-
териалах при проникании в них высокоскоростных тел и влияние
этого эффекта на процесс проникания [14, 15]; технологии разруше-
ния и разделения материалов на основе электродинамических воз-
действий [16].
1
2
3
4 5
B