С.А. Адарчин, В.Г. Косушкин, Е.Н. Адарчина
2
Предложенные на рис. 1 и 2 способы характеризуются высокой
трудоемкостью и энергоемкостью, что обусловлено большим коли-
чеством переходных слоев, получаемых вакуумными методами
напыления, и наличием гальванических покрытий. Такой комплекс
технологических операций характеризуется невысокой надежностью
изделий [3].
Следующий этап в развитии группового метода сборки полупро-
водниковых приборов по технологии flip–chip связан с использова-
нием новых материалов для формирования металлизации на поверх-
ности интегральных микросхем. Медная металлизация позволила
значительно сократить технологический процесс сборки приборов
благодаря применению готовых припойных шариков. В работе [4]
детально описана технология такой сборки (рис. 3).
Рис. 3.
Flip–chip-монтаж с применением припойных шариков:
а
— полупроводниковая чип-структура с медной металлизацией;
б
— установка
припойных шариков на контакты;
в
— переворот чипа и совмещение с контактами
корпуса
Эта технология позволяет значительно сэкономить как материалы,
так и общее время производства. Однако описанный в работе [5] метод
подразумевает применение готовых припойных сфер, установка кото-
рых на чип осуществляется за счет использования флюс-паст; их зада-
чей является удержание сферы на поверхности чипа и повышение ка-
чества последующей пайки. Такой метод не лишен недостатков. Одним
из недостатков является наличие остатков флюса после пайки, которые
при большой площади чипа практически невозможно удалить. Другим
не менее серьезным недостатком являются непропаи одной или не-
скольких сфер, обусловленные как температурными градиентами, так и
Рис. 2.
Строение столбикового вывода [2]:
1
— слой алюминия;
2
— адгезионный слой
ванадия;
3
— пассивирующий слой ванадия;
4
— гальванический медный столбик;
5
—
припой ПОС-61;
6
— гальванический припой
Sn–Bi;
7
— фоторезист;
8
— напыленный
слой меди;
9
— слой SiO
2
