Н.И. Сидняев, В.П. Савченко, Д.В. Клочкова
12
кристаллов заряженными ионами в процессе производства или ввиду
разгерметизации корпуса прибора на этапе его применения.
В
n p n
-транзисторах коллекторные инверсионные слои указы-
вают на наличие отрицательных ионов на поверхности оксида SiO
2
, а
базовые инверсионные слои — на наличие положительных ионов
(рис. 7).
Рис. 7.
Образование каналов в базовой (
а
) и коллекторной (
б
) областях
n p n
-транзистора
При гамма-обработке транзисторов в слое SiO2 образуются по-
ложительные заряды. Поэтому коллекторные инверсионные слои
исчезают после облучения. Инверсионные слои в базе имеют тен-
денцию к более сильной инверсии [18]. Таким образом, гамма-
обработка малыми дозами (104...5 · 105 рад) позволяет определить
наличие инверсионных слоев в базовой или коллекторной области
кристалла кремниевых планарных транзисторов без вскрытия кор-
пуса прибора.
Экспериментальное опробование гамма-обработки как неразру-
шающего метода диагностики отказов проводилось на кремниевых
планарных транзисторах. Из партии транзисторов отобрали две
группы приборов:
– с малым обратным током коллекторного перехода
I
к
= 10
–9
А
(инверсионные каналы отсутствуют);
– с повышенным обратным током коллекторного перехода
I
к
=
=10
–6
А (наличие каналов в базовой либо коллекторной области кри-
сталла).
Гамма-обработка транзисторов дозой
5
5 10
рад не влияла на из-
менение параметров у приборов с малым обратным током
I
к
. При
