Н.И. Сидняев, В.П. Савченко, Д.В. Клочкова
8
среднее значение ожидания наработки
н
t
и дисперсия
ln
t
зависят от
вида отказа и режима работы (рис. 3,
а
,
б
). Например, выявлено, что
при однородном токораспределении и
j
<
j
кр
(где
j
кр
— критическая
плотность тока, при которой начинает сказываться собственный разо-
грев пленки Al) величина
н
t
обратно пропорциональна
j
, а величина
ln
t
не зависит от режима (см. рис. 3,
б
). При образовании в структуре
горячего пятна или при
j
>
j
кр
указанные закономерности нарушаются,
что следует учитывать при разработке форсированных испытаний.
В этих исследованиях показано, что ширина
W
(или толщина
h
) метал-
лизации (при
j
= const) практически не влияет на значение
н
t
в случае
отказов на границе раздела Al—Mo. В то же время для отказов, вы-
званных структурной неоднородностью пленки Al, наблюдается суще-
ственная зависимость
н
t
(
W
), которая при
W
/
d
ср
= 2—3 (здесь
d
ср
—
средний диаметр зерна) имеет минимум (рис. 3,
в
). Сравнение резуль-
татов, полученных при машинных и натурных испытаниях транзистор-
ных структур, подтверждает адекватность построенных моделей элек-
тродиффузионных отказов металлизации.
Анализ влияния ионизирующих излучений на деградацию элек-
трических параметров интегральных логических схем.
В качестве
объекта исследований в работах [3, 4] взяты ИС серий 106, 134, 149.
Облучение производилось гамма-потоком от источника Со60 активно-
стью 13650
Ku
и мощностью излучения 0,69·10
6
рад/ч до поглощен-
ных доз 10
5
...10
9
рад, потоком электронов энергией 1 МэВ до погло-
щенных доз 10
6
...10
9
рад, а также нейтронным потоком до
поглощенных доз 10
11
, 10
12
, 10
14
н/см
2
· с.
Рис. 3.
Результаты машинных испытаний транзисторных структур:
а
— зависимость плотности распределения от времени;
б
,
в
— среднее
значение ожидания наработки от дисперсии;
1
— для отказов на грани-
це раздела Al—Mo;
2
— для отказов, вызванных структурной неодно-
родностью пленки алюминия
