Анализ физики отказов для оценки показателей надежности радиоэлектронных…
11
Рис. 6.
Изменение среднеарифметического значения параметра
J
p
изделий
АА703Б при температуре
Т
исп
параллельных испытаний:
1
— 175 ºС;
2
— 150 ºС;
3
— 135 ºС
Уменьшение в процессе наработки рабочего тока
I
р
(pиc. 6) сви-
детельствует об образовании высокоомного, неоднородного по попе-
речному сечению слоя, наличие которого одновременно понижает
пороговый ток
I
п
и увеличивает тепловое сопротивление
.
T
R
Это
увеличение связано с тем, что в процессе наработки уменьшается
эффективная площадь для потока мощности рассеяния за счет раз-
множения дислокаций вблизи точки термокомпрессионной сварки,
которые располагаются преимущественно в плоскости поперечного
сечения активной области ПЭГ. Пороговое напряжение
u
п
остается
неизменным, что дает возможность предполагать отсутствие замет-
ной деградации омических контактов. Пробивное напряжение
u
В
неизменно в процессе деградации, что свидетельствует об отсутствии
медленного изменения порога электротепловой неустойчивости.
Значение
u
В
изменяется практически в момент наступления отказа.
Можно предполагать, что это связано с прорастанием ветви дислока-
ции, ориентированной, согласно линиям тока, к области анода. Пока
ветвь дислокации не касается области сильного поля, уходящего в
анод домена, она практически не влияет на электропроводность ПЭГ.
Дислокационный механизм деградации ПЭГ приводит к различной
энергии активации процесса старения, что выражается в отсутствии де-
тального подобия в законах распределения отказов при длительной
наработке ПЭГ. Получен именно такой характер статистических дан-
ных о распределении параметров в различных временных сечениях ис-
пытаний. Величина Δ
E
~2,0 эВ характеризует выборку в целом и при-
годна для ускоренной оценки ее надежности. Однако применить ее для
индивидуального прогнозирования нельзя.
Анализ отказов кремниевых планарных транзисторов с по-
мощью гамма-обработки.
Увеличение обратных токов утечки в по-
лупроводниковых приборах объясняется образованием каналов
вследствие инверсии в
n
- либо
p
-области кристалла. Образование ка-
налов обусловлено различной степенью загрязненности поверхности
