Анализ физики отказов для оценки показателей надежности радиоэлектронных…
21
оценке надежности и др. Хотя разработанные в результате прове-
денных исследований методы и относились к изучению отдельных
физических явлений, однако в некоторых простых случаях они поз-
воляют решать задачу обеспечения надежности близкими к опти-
мальным методами.
ЛИТЕРАТУРА
[1]
Коненко Ю.К., Ушаков И.А.
Вопросы надежности радиоэлектронной ап-
паратуры при механических нагрузках.
Москва, Сов. радио, 1975, 144 с.
[2]
Малафеев С.И., Малафеева А.А.
Основы автоматики и систем автома-
тического управления
. Москва, ИЦ «Академия», 2010, 384 с.
[3]
Горюнов Н.Н.
Транзисторы. Полупроводниковые приборы. Справочник
.
Москва, Энергоатомиздат, 1985, 904 с.
[4]
Шанк Ф.А.
Структуры двойных сплавов
. Изд. 2-е, доп. Москва, Метал-
лургия, 1973, 760 с.
[5]
Митчел Дж., Уилсон Д.
Поверхностные эффекты в полупроводниковых
приборах, вызванные радиацией
. Москва, Атомиздат, 1970, 93 с.
[6]
Хансен М., Андерко К.
Структура двойных сплавов
. Москва,
Металлургиздат, 1962, 608 с.
[7]
Горюнов Н.Н.
Свойства полупроводниковых приборов при длительной ра-
боте и хранении
. Москва, Энергия, 1970, 103 с.
[8]
Ляшок А.П., Россошинский А.А., Шевченко Е.С. О причине отказов мик-
росварных соединений золото—алюминий в интегральных схемах.
Электроннная техника. Сер. 6. Микроэлектроника
, 1968, вып. 3, с. 74–79.
[9]
Колесников В.Г. (гл. ред.). Основные твердотельные приборы, используе-
мые в электронных устройствах.
Электроника. Энциклопедический
словарь
. Москва, Сов. энциклопедия, 1991, с. 7, 8, 528–530.
[10] Окснер 3.С.
Мощные полевые транзисторы и их применение
. Москва,
Радио и связь, 1985, 288 с.
[11] Ильинский А.В., Климов В.А., Ханин С.Д., Шадрин Е.Б. Электрические и
оптические явления в диоксиде ванадия вблизи фазового перехода полу-
проводник—металл.
Известия РГПУ им. А.И. Герцена
, 2006, № 15.
URL:
-
v-diokside-vanadiya-vblizi-fazovogo-perehoda-poluprovodnik-metall (дата обра-
щения 03.07.2013).
[12]
Булгаков О.М.
Некоторые приложения декомпозиционных моделей мощ-
ных ВЧ и СВЧ транзисторов на основе изоморфно-коллективного подхо-
да
. Воронеж, Воронежский гос. ун-т, 2006, 236 с.
[13]
Горлов М.И., Емельянов В.А., Строгонов А.Н.
Геронтология кремниевых
интегральных схем
. Москва, Наука, 2004, 240 с.
[14]
Булгаков О.М., Никитина Ю.С., Петров С.А. Декомпозиционная модель ка-
тастрофического отказа мощного ВЧ (СВЧ) транзистора.
Вестник ВИ МВД
России
, 2007, № 4. URL:
-
model-katastroficheskogo-otkaza-moschnogo-vch-svch-tranzistora (дата обра-
щения 02.11.2013).
[15]
Рыжкин А.А., Слюсарь Б.Н., Шучев К.Г
. Основы теории надежности
.
Ростов-на-Дону, ИЦ ДГТУ, 2002, 182 с.
[16] Лупанов О.Б. О синтезе некоторых классов управляющих систем.
Сб. «Про-
блемы кибернетики»
, вып. 10. Москва, Физматгиз, 1963, с. 16–97.
