Особенности получения слаболегированных слоев алюминия-галлия арсенида для фотоприемных устройств
Авторы: Стрельченко С.С., Шумакин Н.И.
Опубликовано в выпуске: #6(66)/2017
DOI: 10.18698/2308-6033-2017-6-1628
Раздел: Металлургия и материаловедение | Рубрика: Нанотехнологии и наноматериалы
Слаболегированные слои алюминия-галлия арсенида позволяют создавать эпитаксиальные структуры для высокоэффективных фотоприемников, фотопреобразователей солнечной энергии, измерительных преобразователей температуры, ионизирующих излучений. В статье рассмотрена возможность получения слаболегированного слоя алюминия-галлия арсенида методом жидкофазной эпитаксии путем легирования раствора-расплава редкоземельными элементами и их аналогами, позволяющими уменьшить концентрацию носителей заряда. Описаны преимущества применения для легирования растворов-расплавов иттербия вместо скандия. Рассмотрены возможные механизмы легирования.
Литература
[1] Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. В 2 кн. Кн. 1. Пер. с англ. 2-е изд. перераб. и доп. Москва, Мир, 1984.
[2] Grym J., Prochazkova O. Role of rare-earth elements in the technology of III-V semiconductors prepared by liquid phase epitaxy. Semiconductor Technologies, InTech, 2010, pp. 297-320.
[3] Беспалов В.А., Елкин А.Г., Журкин Б.Г. и др. Механизм влияния редкоземельных элементов на свойства слоев GaAs, выращенных жидкофазной эпитаксией. Краткие сообщения по физике, 1987, № 9, с. 32-34.
[4] Курковский С.И., Сыворотка Н.Я. Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007, № 2, с. 47-51.
[5] Мастеров В.Ф., Захаренков Л.Ф. Редкоземельные элементы в А3В5. Физика и техника полупроводников, 1990, т. 24, с. 610-629.