5
Свойства проводящего канала в тонких пленках субоксида кремния
Выводы.
Аппроксимация семейства вольт-амперных характеристик,
полученных при различных температурах структуры ITO—SiO
x
—Si,
показывает, что доминирующим механизмом проводимости в низкоом-
ном состоянии является эффект Шоттки с величиной энергетического
барьера 0,12 эВ.
Низкая стехиометрия пленки оксида кремния обладает повышен-
ным содержанием трехкоординированных атомов кремния (
P
B
-центр)
и кислородных вакансий, которые релаксируют до образования
E
1
-
центров. Последние, проявляя свойства положительно заряженных
электронных ловушек и обладая повышенной способностью к ориен-
тации в электрическом поле, вероятно, вызывают дипольную поляри-
зацию низкоомного канала, что наблюдается в сильной зависимости
эффективной высокочастотной относительной диэлектрической про-
ницаемости. Роль проводящего канала играет скорее цепь трехвалент-
ных дефектов, нежели непрерывный кремниевый канал.
ЛИТЕРАТУРА
[1] Зи С.М.
Физика полупроводниковых приборов: Кн. 1
. Сурис Р.А., ред. Москва,
Мир, 1984, 456 с.
[2] Зеегер К.
Физика полупроводников
. Москва, Мир, 1977, 606 с.
[3] Jun Yao, Lin Zhong, Douglas Natelson, and James M. Tour. Etching-dependent
reproducible memory switching in vertical SiO
2
structures.
Appl. Phys. Letters
,
2008, 93, 253101.
[4]
Electronic devices containing switchably conductive silicon oxides as a switching
element and methods for production and use thereof
. Patent application number:
20110038196. United States Patent Application Publication, Feb. 17, 2011.
[5] Sarikov A., Litovchenko V., Lisovskyy I., Maidanchuk I. and Zlobin S.,
Appl.
Phys. Letters
, 91(13), 133109 (2007).
[6] Mehonic A. et al. Resistive switching in silicon suboxide films.
J. of Appl. Phys.
,
111, 074507 (2012).
Рис. 5.
Линейная аппроксимация температур-
ной зависимости ВАХ для определения высоты
энергетического барьера
