3
Свойства проводящего канала в тонких пленках субоксида кремния
значения семейства графиков с помощью программы GetData Graph
Digitizer 2.24. Удовлетворительно кривые линеаризуются в координатах
Шоттки (рис. 3) по методу наименьших квадратов с достоверностью
аппроксимации
R
2
> 0,9861 для напряжений
U
> 0,64 В.
Известно [7], что плотность тока, протекающего согласно механиз-
му термоэлектронной эмиссии Шоттки, вычисляется по формуле:
2 exp
.
e
Es
j
AT s
kT
(1)
Тогда наклон графика в координатах ln
J
~
U
1/2
определяется выра-
жением:
,
e
S
kT d
(2)
где
.
4 0
e
(3)
В формулах (1)–(3)
T
— температура, K;
e
= 1,6·10
–19
Кл — элемен-
тарный заряд; φ — потенциальный барьер Шоттки, эВ;
E
— напряжен-
ность электрического поля, В/м;
k
= 1,38·10
–23
Дж/K— постоянная Боль-
цмана;
d
= 3,7·10
–8
м — толщина диэлектрика; ε
0
= 8,85·10
–12
Ф/м — ди-
электрическая проницаемость вакуума;
A
— константа, слабо зависящая
от температуры; ε — высокочастотная относительная диэлектрическая
проницаемость среды.
Из соотношения (3) легко определить эффективную высокочастот-
ную диэлектрическую проницаемость материала проводящего канала
для диапазона температур от 300 до 473K (рис. 4).
Рис. 3.
Аппроксимация ВАХ в координатах Шоттки
