2
П.С. Захаров, В.С. Зайончковский, Е.Б. Баскаков
Методика изготовления образцов.
В работе [6] использовались
образцы в виде МДП-структур (рис. 1). Диэлектрическая пленка — не-
стехиометрический оксид кремния с 11% ат. избыточного кремния тол-
щиной 37 нм — осаждалась совместным магнетронным распылением
мишеней Si и SiO
2
в плазме аргона на кремниевые подложки
p
-типа.
Верхний проводящий слой — оксид индия и олова (ITO) — осаж-
ден при комнатной температуре с целью исключения фазового распада
термодинамически неустойчивого диэлектрика. Методами фотолито-
графии сформированы верхние контакты размером 125×125 мкм
2
.
Анализ вольт-амперных характеристик.
Проанализированы ВАХ
структуры в низкоомном состоянии при различных температурах —
373, 403, 423, 473 K и комнатной. Из рис. 2 экстрагированы численные
Рис. 1.
Исследуемая структура [6]
Рис. 2.
Исходные ВАХ [6]
