Стр. 8 - Исследование рассеяния терагерцового излучения в тонких слоях диэлектрических материалов

ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. «Приборостроение». 2012 12
падающего поля (поля пустой расчетной области) из полного поля,
после чего вне контура TF/SF присутствует только расчетное поле.
Рис. 4. К методу полного и рассеянного полей
В результате численного моделирования взаимодействия элек-
тромагнитной волны со слоем ткани определим зависимость векто-
ров напряженностей электрического ( ) E t

и магнитного ( ) H t

полей
для каждой точки расчетной области. От временных зависимостей с
помощью алгоритма фурье-преобразования перейдем к комплексным
амплитудам электрического ( )E 
 и магнитного ( )H 
 полей.
Поскольку для расчета поля в дальней зоне FDTD-метод приме-
нять нецелесообразно, для получения характеристик рассеяния вос-
пользуемся дифракционным интегралом Рэлея—Зоммерфельда для
ТМ-поляризации:
         
' ' , ' 1 , ' ,
ˆ ˆ 4 a a a
z
z z
C C
C
E r G r r
E r G r r E r dC
n n 
   
   
 
 
 

  

   
   (8)
где r — радиус-вектор, соединяющий центр частицы (либо системы
частиц) и точку анализа поля в дальней зоне; a C — контур интегри-