Стр. 10 - Исследование рассеяния терагерцового излучения в тонких слоях диэлектрических материалов
Упрощенная HTML-версия
ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. «Приборостроение». 2012
14
а б
в г
Рис. 5. Результаты верификации алгоритма определения характеристик рас-
сеяния для одиночной цилиндрической частицы с параметрами
D
= 1,6 λ =
= 160 отн. ед. (λ = 100 отн. ед.), ε = 4:
а
— исходные характеристики частицы;
б
— вид дифракционной картины;
в
,
г
—
ДСР, полученные соответственно численным методом и аналитически по извест-
ным выражениям [10]
Анализ результатов показал, что положения нулей графиков
(рис. 5,
в
,
г
) отличаются менее чем на 1 %, а различия амплитуд вто-
рого и третьего максимумов составляют 1…2 %. Следовательно,
данный метод можно использовать для расчета характеристик рас-
сеяния.
После верификации алгоритма проводились вычисления сечения
и ИР рассматриваемых образцов (см. рис. 3). Моделировалось взаи-
модействие излучения с одним слоем цилиндров в соответствии с
принятыми ранее допущениями. Для трех типов исследуемых тканей
ИР приведены на рис. 6.
