67
ISSN 1812-3368. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. «Естественные науки». 2012
где
– гамма-процентная наработка до
отказа (целевая функция);
–
Π,
—
Πд – векторы параметров конструкции
(пассивных элементов и подложки, соответственно) См РТД СВЧ;
вектор параметров РТС;
– векторы технологических по-
грешностей соответствующих параметров;
k
Y
Δ
– допуски на электри-
ческие параметры
Y
См РТД СВЧ.
При конструкторско-технологической оптимизации балансного
смесителя был рассмотрен ряд модификаций базовой гетерострукту-
ры «А» РТД (варианты отличаются значениями
N
w
, обеспечивая при
этом необходимую степень полинома ВАХ РТД). Установлено, что
постепенный отказ См РТД СВЧ определяется изменением
L
в про-
цессе эксплуатации, в то время как
K
1дБ
не оказывает влияния на его
надежность в пределах исследуемой наработки. В табл. 2 приведены
значения
T
γ
смесителя, годы, на основе этих вариантов РТС. Структу-
ры, характеристики которых отличаются значением
N
w
, обозначены
«
A
○» = mod
A
– [
N
w
– ○], где ○ – количество монослоев GaAs, на которое
толщина этого слоя меньше соответствующего слоя структуры «
A
».
Таблица 2
T
γ
балансных См СВЧ на РТД с различными РТС
Структура
γ
= 0,999
γ
= 0,9999
«
A
»
4,04
3,47
«
A1
» = mod
A
– [
N
w
– 1]
6,81
6,08
«
A2
» = mod
A
– [
N
w
– 2]
9,99
9,13
«
A3
» = mod
A
– [
N
w
– 3]
10,62
9,75
«
A4
» = mod
A
– [
N
w
– 4]
10,53
9,94
Как следует из приведенных данных, конструкторско-технологи-
ческая оптимизация См РТД СВЧ позволила достигнуть высоких по-
казаний надежности:
T
γ
= 0,9999
≈ 10 лет. В то же время установлено,
что См РТД СВЧ, реализованные на трех различных РТС «
A
2», «
A
3»
и «
A
4», имеют близкую по значению
T
γ
(
T
γ
= 0,9999
соответственно рав-
ную 9,1; 9,8 и 9,9 лет).
В связи с тем, что переход смесителя в неработоспособное состо-
яние обусловлен постепенным отказом, наблюдается тенденция вы-
деления экспертами в поле допуска электрических параметров См
РТД СВЧ областей с различным «качеством» выполнения прибором
1,2,3,4,5 7,8,9,10