66
ISSN 1812-3368. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. «Естественные науки». 2012
Таким образом, коэффициент чувствительности
L
и
K
1дБ
к уменьше-
нию
N
w
максимален на всем временном интервале (15 лет), что позво-
лило выбрать толщину GaAs
-
слоя (
N
w
) двухбарьерной симметричной
GaAs
–
Al
x
Ga
1–
x
As – РТС в качестве управляемого параметра для опти-
мизации смесителя.
Таблица 1
Чувствительность выходных электрических параметров
См РТД СВЧ к изменению параметров РТС
Наработка,
лет
S
L
, %
(
N
b
=
5–4)
S
L
, %
(
V
b
=
1–0,9)
S
L
, %
(
N
w
=
9–8)
S
K
1дБ
, %
(
N
w
=
9–8)
0
–189,0
–13,5
35,4
16,9
0,5
–174,6
–10,7
54,2
15,5
2
–151,7
0,8
39,6
14,5
8,5
–137,8
–0,7
26,1
14,9
15
–127,3
–0,4
31,6
12,3
Исследования влияния констукторско-технологических факто-
ров производства смесителя (погрешностей изготовления подложки,
микрополосков, направленного ответвителя, сосредоточенных эле-
ментов, РТД) на формирование поля рассеивания выходных электри-
ческих параметров См РТД СВЧ позволили сделать следующие вы-
воды. Установлено, что поле рассеивания
L
и
K
1дБ
увеличивается при
уменьшении толщин слоев РТС. Закон распределения
L
и
K
1дБ
близок
к нормальному и остается таковым на всем временном интервале. При
этом доминирующее влияние на поле рассеивания
L
и
K
1дБ
оказывают
технологические погрешности РТД, определяемые выбранной техно-
логией формирования РТС.
Таким образом, установлено, что повышение надежности См РТД
СВЧ возможно с помощью оптимизации характеристик РТС диода
и выборе технологической операции формирования РТС диода.
Структуру математической модели конструкторско-технологиче-
скойоптимизацииопределяет задачамаксимизациигамма-процентной
наработки партии смесителей РТД СВЧ при заданных конструктор-
ских допусках на выходные параметры смесителя и технологических
погрешностях на элементную базу смесителя РТД СВЧ, исходя из ва-
риантности построения РТС и технологии ее формирования:
1,2,3,4 6,7,8,9,10