8 / 11
Е.В. Панфилова, А.Б. Сырицкий, А.А. Доброносова
8
Инженерный журнал: наука и инновации
# 1·2018
рис. 4,
в
). При этом рельеф вершин стал более развитым. Причем
нанесение углерода не из газовой фазы, а магнетронным методом,
выполненное для сравнения на некоторых образцах, привело к фор-
мированию поверхности с аналогичным характером рельефа.
Благодаря полученным вольт-амперным характеристикам образ-
цов пленочной композиции и отдельных слоев обнаружен небольшой
гистерезис, появление которого обусловлено нелинейностью пьезоке-
рамики. Анализ вольт-амперных характеристик подтверждает зависи-
мости, обнаруженные при топографических исследованиях. Для пле-
нок опала кривая
I
(
U
) (см. рис. 5,
а
) имеет нелинейный симметричный
вид, свойственный контакту металл — диэлектрик. Нанесение золота
толщиной 100 нм и более на поверхность опаловой пленки сохраняет
характер зависимости, но приводит к увеличению значений силы тока
(см. рис. 5,
б
). Последующее осаждение углерода влечет за собой из-
менение характера зависимости
U
(
I
) (см. рис. 5,
в
),
выраженное силь-
нее для образцов с большей толщиной углеродной пленки в исследо-
ванном диапазоне толщины. Количественная оценка усиления
электрического поля на образцах с углеродными пленками толщиной
100 нм на свидетеле, выполненная в координатах Фаулера — Норд-
гейма, говорит о том, что при напряжении 1,0 В для некоторых точек
коэффициент усиления поля в зазоре зонд — подложка достигал зна-
чений 400…420.
Заключение.
Полученные результаты свидетельствуют о перспек-
тивах, которые предоставляет метод СЗМ, для изучения топографии и
электрофизических свойств структур на основе опаловых пленок. Его
уникальность обусловлена возможностью сочетания нескольких мето-
дов исследования одного образца. Постоянное совершенствование
оборудования и использование новых методик позволяют говорить о
неисчерпанных на данный момент возможностях методов СЗМ. Разви-
тие работы авторы видят в создании и исследовании эмиссионных
структур, сформированных на опаловом подслое.
ЛИТЕРАТУРА
Крутиков В.Н.
Метрологическое обеспечение нанотехнологий и продукции
наноиндустрии.
Москва, Логос, 2011, 592 с.
Комшин А.С., Сырицкий А.Б. Метрологическое обеспечение нанотехноло-
гий в промышленных условиях.
Наноинженерия
, 2014, № 4, с. 14–19.
Leach R.K.
Fundamental Principles of Engineering Nanometrology
. Oxford,
U.K.; Waltham M.A: William Andrew, 2014, 349 p.
Беседина К.Н., Вострикова А.В., Двухшерстова О.О., Калинин В.Н., Пан-
филова Е.В.
Исследование процесса нанесения тонких пленок на нано-
структурированную поверхность.
Наноинженерия,
2013, № 12, с. 36–39.
Stroscio J.A., Kaiser W.J.
Scanning Tunneling Microscopy.
Academic Press,
Inc., California, 2013, 459 p.